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J-GLOBAL ID：201702282043447617   整理番号：17A1421036

Ge TiO_2ナノ複合材料薄膜における結晶化温度とGe濃度の間の相関【Powered by NICT】

Correlation between crystallization temperature and Ge concentration in Ge-TiO₂ nanocomposite thin films

著者 (1件)： Abe Seishi (Research Institute for Electromagnetic Materials, 2-1-1 Yagiyama-minami, Sendai 982-0807, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 636  ページ： 183-187  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TiO_2マトリックス中に埋め込まれたGeナノ結晶(NC)を有するナノ複合材料薄膜の結晶化温度と光電流スペクトルを研究した。RamanスペクトルはGeとTiO_2の結晶化温度はGeの初期組成の増加,TiO_2のスパッタリングターゲット上に設定された異なるGeチップ数を用いて制御されると共に増加することを明らかにした。光電流スペクトルは,ポストアニーリング中のルチル構造をもつTiO_2の結晶化に起因して,410nmの波長でピークを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *晶出温度 ,  Ramanスペクトル ,  波長 ,  *ゲルマニウム ,  *ナノ複合材料 ,  *複合材料 ,  ナノ結晶 ,  *薄膜 ,  *結晶化
準シソーラス用語： ルチル型構造 ,  ポストアニーリング ,  光電流スペクトル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 二酸化チタン ,  ゲルマニウムナノ結晶 ,  複合材料 ,  結晶化温度 ,  光電流分光法

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光化学一般  (CB08010U)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ge ,  ナノ複合材料 ,  薄膜 ,  結晶化温度 ,  相関