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J-GLOBAL ID：201702282329071759   整理番号：17A0955180

理想的なチップでは不十分:ワイドバンドギャップデバイスの成功を遅らせる問題

The ideal chip is not enough: Issues retarding the success of wide band-gap devices

著者 (1件)： KAMINSKI Nando (Univ. Bremen, Bremen, DEU)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 4S  ページ： 04CA03.1-04CA03.6  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ワイドバンドギャップ(WBG)材料の炭化ケイ素(SiC)または窒化ガリウム(GaN)から作られた半導体チップは,それぞれの材料によって与えられた理論上の限界に近づいている。残念なことに,シリコンデバイスに対するそれらの利点は,デバイスパッケージまたは半導体周辺の回路によって課される制限のために十分に活用することができない。浮遊インダクタンスはスイッチング速度を遅くし,損失を増加させ,パッケージング材料は最大温度と最大有効温度スイングを制限し,受動素子は最大スイッチング周波数を制限しする。WBGをより広い範囲のアプリケーションに対して魅力的にし,結果として規模の経済から利益を得るには,これらの問題をすべて解決するか,少なくとも最小限に抑える必要がある。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *炭化ケイ素 ,  *窒化ガリウム ,  *梱包 ,  *回路 ,  インダクタンス ,  回路部品
準シソーラス用語： ワイドバンドギャップ半導体 ,  パッケージ ,  周辺回路 ,  寄生インダクタンス ,  受動素子

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (34件)：

• J. W. Kolar, D. Bortis, and D. Neumayr, Proc. 28th Int. Symp. Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2016, p. 15.
• N. Kaminski and O. Hilt, IET Circuits Devices Syst. 8, 227 (2014).
• S. Rugen, C. Bödeker, I. Kortazar, I. Larrazabal, P. Friedrichs, and N. Kaminski, Proc. 18th European Conf. Power Electronics and Applications (EPE), 2016.
• Y. Mikamura, K. Hiratsuka, T. Tsuno, H. Michikoshi, S. Tanaka, T. Masuda, K. Wada, T. Horii, J. Genba, T. Hiyoshi, and T. Sekiguchi, IEEE Trans. Electron Devices 62, 382 (2015).
• G. Meneghesso, M. Meneghini, and E. Zanoni, IEEE Int. Conf. Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2014.

タイトルに関連する用語 (1件)： 成功