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J-GLOBAL ID：201702282991991959   整理番号：17A0151802

定電圧ストレス多層酸化物スタック中の導電性フィラメント生成速度の関数適合モデル

Function-fit model for the rate of conducting filament generation in constant voltage-stressed multilayer oxide stacks

著者 (5件)： Rodriguez-Fernandez A. (Departament d’Enginyeria Electronica, Universitat Autonoma de Barcelona, 08193 Cerdanyola del Valles, Spain) ,  Sune J. (Departament d’Enginyeria Electronica, Universitat Autonoma de Barcelona, 08193 Cerdanyola del Valles, Spain) ,  Miranda E. (Departament d’Enginyeria Electronica, Universitat Autonoma de Barcelona, 08193 Cerdanyola del Valles, Spain) ,  Gonzalez M. B. (Institut de Microelectronica de Barcelona, IMB-CNM (CSIC), Campus UAB, 08193 Cerdanyola del Valles, Spain) ,  Campabadal F. (Institut de Microelectronica de Barcelona, IMB-CNM (CSIC), Campus UAB, 08193 Cerdanyola del Valles, Spain)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35  号： 1  ページ： 01A108-01A108-6  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一定の電圧ストレスを与えたAl₂O₃/HfO₂系多層スタック中の導電性フィラメント生成速度に関する単純な関数適合モデルを提案した。劣化中,素子は段階的な電流-時間(I-t)特性を示し,これは複数の破壊事象のトリガと直接的に関連する可能性がある。この段階的挙動の確率的性質を,個々の故障事象の到着率に対する不均一なPoisson過程により現象論的にモデル化した。本研究では,ストレス下の素子の等価回路表現と故障率の冪乗則モデルを組合せて,I-t曲線の進展を説明し,目標とする漏れ電流レベルに到達するまでに必要なストレス時間の一次推定が得られることを示した。素子の面積とストレス電圧が破壊動力学に及ぼす影響ついても調べた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 多層膜 ,  導電性 ,  *フィラメント ,  *酸化アルミニウム ,  酸化ハフニウム ,  多層構造 ,  Poisson過程 ,  等価回路 ,  モデル ,  *電圧 ,  耐圧性 ,  *化学蒸着 ,  薄膜成長 ,  *モデリング ,  経時変化
準シソーラス用語： *二酸化ハフニウム ,  *原子層堆積 ,  現象論的モデル ,  *電圧ストレス ,  *導電性フィラメント

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (9件)： 定電圧 ,  ストレス ,  多層 ,  酸化物 ,  スタック ,  導電性フィラメント ,  生成速度 ,  関数 ,  モデル