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J-GLOBAL ID：201702283248556898   整理番号：17A1544984

非破壊短絡動作中の1200V SiC電力MOSFETの損傷を受けた平面酸化物に関する研究【Powered by NICT】

Investigation on damaged planar-oxide of 1200V SiC power MOSFETs in non-destructive short-circuit operation

著者 (5件)： Boige F. (LAPLACE, University of Toulouse, CNRS, INPT, UPS, Toulouse, France) ,  Richardeau F. (LAPLACE, University of Toulouse, CNRS, INPT, UPS, Toulouse, France) ,  Tremouilles D. (LAAS-CNRS, University of Toulouse, CNRS, Toulouse, France) ,  Lefebvre S. (SATIE, CNAM, CNRS, ENS Cachan, Cachan, France) ,  Guibaud G. (THALES Communications & Security, ITEC Lab, CNES, Toulouse, France)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 76-77  ページ： 500-506  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文の目的は,非破壊で三千二百V炭化けい素(SiC)パワーMOSFETの広範な研究を提示することであるが,劣化,短絡手術をもたらした。異常,シリコン上に構築された等価素子と比較して,損傷指標は有意なゲート電流増加であるが成分はまだ機能した。損傷位置を見つけるために,非破壊および破壊法を行った。結果は,デバイス設計に依存して異なる破壊機構をもたらす短絡手術中の重要な電気的と熱応力に起因する局所ゲート酸化膜絶縁破壊に収束する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *酸化物 ,  ケイ素 ,  *炭化ケイ素 ,  熱応力 ,  絶縁破壊
準シソーラス用語： ゲート酸化膜 ,  破壊機構 ,  デバイス設計 ,  ゲート電流 ,  *パワーMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 短絡 ,  SiC ,  電力MOSFET ,  損傷 ,  酸化物 ,  研究