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J-GLOBAL ID：201702283392189389   整理番号：17A0151797

HfO₂に基づく1T-1R抵抗ランダムアクセスメモリ素子の伝導機構とスイッチングパラメータに及ぼす温度の影響

Impact of temperature on conduction mechanisms and switching parameters in HfO₂-based 1T-1R resistive random access memories devices

著者 (6件)： Perez Eduardo (IHP GmbH/Leibniz-Institut fuer Innovative Mikroelektronik, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Wenger Christian (IHP GmbH/Leibniz-Institut fuer Innovative Mikroelektronik, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Grossi Alessandro (Dip. di Ingegneria, Universita degli Studi di Ferrara, Via G. Saragat 1, 44122 Ferrara, Italy) ,  Zambelli Cristian (Dip. di Ingegneria, Universita degli Studi di Ferrara, Via G. Saragat 1, 44122 Ferrara, Italy) ,  Olivo Piero (Dip. di Ingegneria, Universita degli Studi di Ferrara, Via G. Saragat 1, 44122 Ferrara, Italy) ,  Roelofs Robin (ASM, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35  号： 1  ページ： 01A103-01A103-5  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HfO₂に基づく1T-1R素子の漏れ機構と抵抗スイッチング電圧に及ぼす温度の影響を-40~+150°Cで調べた。増大ステップパルスと追加の読取・検証アルゴリズムを用いて,素子を高抵抗状態(HRS)から低抵抗状態(LRS)へ,又はその逆に切替えた。HRSでは,漏れ電流値は温度の影響を受けず,フィラメントの狭窄部を通るトンネル状の伝導機構を示唆した。量子点接触モデルを適用すると,この温度非依存性はトンネル障壁の幅と高さの変動との間の補償に起因する。HRSとは対照的に,LRSの漏れ電流値は昇温に伴って直線的に減少し,金属様の伝導機構を示唆した。従って,オン/オフ比は昇温と共に僅かにに減少した。スイッチング電圧に及ぼす温度の影響は見られず,応用の関連温度範囲で素子の安定したスイッチングサイクルが保証される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  *スイッチング ,  *漏れ電流 ,  特性 ,  点接触 ,  温度依存性 ,  ポテンシャル障壁
準シソーラス用語： スイッチング特性 ,  トンネル障壁 ,  高抵抗状態 ,  低抵抗状態 ,  量子点接触

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： HfO2 ,  抵抗ランダムアクセスメモリ ,  伝導 ,  スイッチング ,  パラメータ