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J-GLOBAL ID：201702284390823829   整理番号：17A0400546

重イオン放射線への曝露後の商用既製algan/GaN HEMT素子の信頼性研究【Powered by NICT】

Commercial-off-the-shelf algan/gan hemt device reliability study after exposure to heavy ion radiation

著者 (5件)： Poling B.S. (Air Force Research Laboratory, Sensors Directorate, Wright-Patterson, AFB, OH, United States) ,  Via G.D. (Air Force Research Laboratory, Sensors Directorate, Wright-Patterson, AFB, OH, United States) ,  Bole K.D. (Air Force Research Laboratory, Space Vehicles Directorate, Kirtland, AFB, NM, United States) ,  Johnson E.E. (Air Force Research Laboratory, Space Vehicles Directorate, Kirtland, AFB, NM, United States) ,  McDermott J.M. (Wyle, Dayton, OH, United States)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 68  ページ： 13-20  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 商用オフザシェルフ(COTS)GaNH EMTの信頼性を,ネオン(Ne),ケイ素(Si),およびアルゴン(Ar)の重イオンを用いた照射後に研究した。曝露は変化を示さなかった後の素子は,直後1.5e~5ions/cm~2とDC特性測定のフルエンスまで~1.8e~4ions/cm~2秒の流束で重イオンに曝露した。さらに,素子性能の変化はRFストレス試験の前に採取したDCまたはRF特性化では観察されなかった。赤外(IR)およびエレクトロルミネセンス(EL)特性は,排出量の変化を評価するために,照射,照射後,ストレス後の試験の前に実施した。重イオン曝露後,照射デバイスと照射デバイスは高い基板温度でRFストレス試験を行った。結果は,重イオン曝露からの長期信頼性に及ぼす交絡効果の可能性を示唆した非照射デバイスとは異なる速度で分解照射デバイスを意味している。将来の研究は,GaNH EMT宇宙認定に必要である付加的応力試験かどうかを決定するための大きなサンプルサイズと異なる放射源を用いて実施すべきである。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： フルエンス ,  排出量 ,  放射線 ,  宇宙空間 ,  負荷試験 ,  基板温度 ,  *HEMT ,  *窒化ガリウム ,  キャラクタリゼーション ,  *信頼性 ,  エレクトロルミネセンス ,  *重イオン ,  長期信頼性

著者キーワード (4件)： 窒化ガリウム(GaN) ,  高電子移動度トランジスタ(HEMT) ,  信頼性 ,  重イオン

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 重イオン ,  放射線 ,  曝露 ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  研究