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J-GLOBAL ID：201702284413853930   整理番号：17A1646261

ウエハボンディング技術による200mmウエハレベルグラフェン移動【Powered by NICT】

200 mm Wafer level graphene transfer by wafer bonding technique

著者 (8件)： Inac Mesut (Berlin Technical University, HFT4, Einsteinufer 25, 10587 Berlin, Germany) ,  Lupina Grzegorz (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Wietstruck Matthias (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Lisker Marco (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Fraschke Mirko (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Mai Andreas (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Coccetti Fabio (RF Microtech, Via Leone Maccheroni, 06132 Perugia, Italy) ,  Kaynakt Mehmet (Sabanci University, Orta Mahalle, Universite Caddesi 27, Tuzla, 34956 Istanbul, Turkey)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ESSDERC  ページ： 216-219  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,誘電体基板上にグラフェンのウエハレベル移動はSiO_2~-SiO_2融着と剥離過程に基づいて実証した。開発した技術は,混入無しで200mmウエハ上のグラフェン移動を可能にし;CMOS。実験データは他の基板への高品質と平均3.5Ω/□のシート抵抗と98%の収率値と上のグラフェンの導入の成功を検証した。著者らの知識の及ぶ限りでは,CMOSラインへのグラフェン材料の完全な統合を可能にするであろう,200mmウエハレベルでSiO_2~-SiO_2溶融接着と剥離プロセスに基づくグラフェン移動の初めての証明であるとグラフェン材料に基づく新しいデバイスへの道を開いた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *グラフェン ,  接着 ,  誘電体 ,  シート抵抗 ,  CMOS
準シソーラス用語： 高品質 ,  融着 ,  *ウエハボンディング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (1件)： ウエハボンディング