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J-GLOBAL ID：201702285419574613   整理番号：17A0502276

AlGaN/GaN HEMTのイオン照射効果の観察

Observation of irradiation effects of ions in AlGaN/GaN HEMTs

著者 (8件)： 佐々木肇 (三菱電機) ,  日坂隆行 (三菱電機) ,  門岩薫 (三菱電機) ,  奥友希 (三菱電機) ,  小野田忍 (量子科学技術研究開発機構) ,  大島武 (量子科学技術研究開発機構) ,  田口英次 (大阪大) ,  保田英洋 (大阪大)
資料名： 電気学会電子デバイス研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： EDD-17  号： 42-51  ページ： 23-28  発行年： 2017年03月09日 
JST資料番号： Z0910A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  電子顕微鏡観察 ,  *放射線効果 ,  *信頼性 ,  *重イオン照射 ,  バリオン ,  電子ビーム ,  人工衛星 ,  透過型電子顕微鏡 ,  宇宙空間 ,  転位【結晶】 ,  電流電圧特性 ,  電子照射 ,  計算機シミュレーション
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN ,  重粒子線照射 ,  電子線照射 ,  デバイスシミュレーション

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  イオン照射効果 ,  観察