ハイブリッド強誘電電荷トラップゲートスタックを用いた高I_D,maxによる高V_thエンハンスメントモードGaNパワーデバイス【Powered by NICT】

Wu C. H.; Liu S. C.; Huang C. K.; Chiu Y. C.; Han P. C.; Chang P. C.; Lumbantoruan F.; Lin C. A.; Lin Y. K.; Chang C. Y.; Hu Chenming; Iwai Hiroshi; Chang Edward Yi

文献

J-GLOBAL ID：201702285701055881 整理番号：17A1359859

ハイブリッド強誘電電荷トラップゲートスタックを用いた高I_D,maxによる高V_thエンハンスメントモードGaNパワーデバイス【Powered by NICT】

High V_th enhancement mode GaN power devices with high I_{D, max} using hybrid ferroelectric charge trap gate stack

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巻： 2017 号： VLSI Technology ページ： T60-T61 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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本研究では,高い最大ドレイン電流(I_D,max)を持つ高いしきい値電圧(V_th)EモードGaNパワーデバイスを実現するための新しい概念を実証した。電荷トラップ層を持つゲートスタック強誘電ブロッキング膜はV_thの大きな正のシフトを達成した。6Vの高いV_thとEモードGaN MIS-HEMTはI_D,最大720mA/mmを示した。破壊電圧は1100V以上であった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

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