文献

J-GLOBAL ID：201702286147725009   整理番号：17A0953325

種々の結晶方位を有するBaTiO₃薄膜ヘテロ構造の界面電荷挙動

Interface charge behaviors of BaTiO₃ film heterostructures with various crystal orientations

著者 (8件)： ZHANG Wei (Nanjing Univ. Posts and Telecommunications, Nanjing, CHN) ,  OUYANG Jun (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  OUYANG Jun (Suzhou Inst. of Shandong Univ., Suzhou, CHN) ,  CHENG Hongbo (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  YANG Qian (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  KANG Limin (National Quality Supervision and Inspection Center for Industrial Explosive Materials, Nanjing, CHN) ,  ZHANG Hua (Nanjing Univ. Posts and Telecommunications, Nanjing, CHN) ,  HU Fangren (Nanjing Univ. Posts and Telecommunications, Nanjing, CHN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 2  ページ： 020304.1-020304.4  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SrRuO₃バッファを用いたSrTiO3基板上にマグネトロンスパッタを用いて,(001),(110)および(111)配向を有するBaTiO₃ヘテロエピタキシャル強誘電体膜を成長させた。漏れ電流と界面電荷挙動を系統的に調べた。識別可能な配向に依存する挙動を除き,リーク電流挙動はすべて変調Schottky接触モデルによって十分に説明された。この理論に基づき,動的誘電率,ポテンシャル障壁,空乏層幅,実効空間電荷密度および正孔濃度,並びにそれらの発展挙動を含む界面電荷状態パラメータを詳細に分析した。これらはすべて異方的特性を示し,本質的にBaTiO₃薄膜ヘテロ構造の巨視的物理特性に起因することが判明した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *チタン酸バリウム ,  強誘電体 ,  *誘電体薄膜 ,  ヘテロエピタクシー ,  *漏れ電流 ,  Schottky障壁 ,  *モデル ,  *ポテンシャル障壁 ,  キャリア密度 ,  *電荷 ,  誘電率 ,  空乏層 ,  *異方性
準シソーラス用語： 変調Schottky接触モデル ,  動的誘電率 ,  正孔濃度 ,  *界面電荷

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (22件)：

• J. Hoffman, X. Pan, J. W. Reiner, F. J. Walker, J. P. Han, C. H. Ahn, and T. P. Ma, Adv. Mater. 22, 2957 (2010).
• L. W. Martin, Y. H. Chu, and R. Ramesh, Mater. Sci. Eng. R 68, 89 (2010).
• J. F. Scott, Science 315, 954 (2007).
• C.-B. Eom and S. Trolier-McKinstry, MRS Bull. 37, 1007 (2012).
• D. Sando, P. Hermet, J. Allibe, J. Bourderionnet, S. Fusil, C. Carretero, and M. Bibes, Phys. Rev. B 89, 195106 (2014).

タイトルに関連する用語 (6件)： 結晶方位 ,  BaTiO3 ,  薄膜 ,  ヘテロ構造 ,  界面電荷 ,  挙動