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J-GLOBAL ID：201702286206816236   整理番号：17A1802704

バルク限界を超えた超伝導相領域における六方晶系タングステンブロンズCs_xWO₃のエピタキシャル成長

Epitaxial growth of hexagonal tungsten bronze Cs_xWO₃ films in superconducting phase region exceeding bulk limit

著者 (4件)： SOMA Takuto (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  YOSHIMATSU Kohei (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  OHTOMO Akira (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  OHTOMO Akira (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 9  号： 7  ページ： 075801.1-075801.3  発行年： 2016年07月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Y安定化ZrO₂(111)基板上に,超電導Cs_xWO₃(x=0.11,0.20,および0.31)膜のエピタキシャル合成を行った。六方晶構造は,バルクの安定領域(x=0.20および0.31)内の組成だけでなく,範囲外組成(x=0.11)についても検証された。超伝導転移の開始は,x=0.11の場合に5.8Kであった。Cs含有量にかかわらず,超伝導転移温度(TC)とc軸長との間には,強い相関があることがわかった。これらの結果は,六方晶タングステンブロンズの隠蔽された超伝導相領域が,軽くドープされた膜のエピタキシャル合成を用いて到達可能であることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *相 ,  *六方晶系 ,  *タングステンブロンズ ,  *エピタクシー ,  *転移温度
準シソーラス用語： *超伝導相 ,  超伝導転移温度

分類 (3件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  相転移・臨界現象一般  (BL04010V)

引用文献 (19件)：

• J. B. Goodenough, Prog. Solid State Chem. 5, 145 (1971).
• C. G. Granqvist, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 60, 201 (2000).
• R. K. Stanley, R. C. Morris, and W. G. Moulton, Phys. Rev. B 20, 1903 (1979).
• M. R. Skokan, W. G. Moulton, and R. C. Morris, Phys. Rev. B 20, 3670 (1979).
• L. H. Cadwell, R. C. Morris, and W. G. Moulton, Phys. Rev. B 23, 2219 (1981).

タイトルに関連する用語 (6件)： バルク ,  限界 ,  超伝導相 ,  六方晶系 ,  タングステンブロンズ ,  エピタキシャル成長