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J-GLOBAL ID：201702287060444682   整理番号：17A0830934

シリコンヘテロ接合太陽電池用の真性半導体アモルファスシリコン酸化物バッファ層の最適条件上のエピタキシャル成長の影響【Powered by NICT】

Effects of epitaxial growth on the optimum condition of intrinsic amorphous silicon oxide buffer layers for silicon heterojunction solar cells

著者 (4件)： Zhang He (MEXT/FUTURE-PV Innovation Research, Japan Science and Technology Agency (JST), 2-2-9 Machiike-dai, Koriyama, Fukushima 963-0298, Japan) ,  Nakada Kazuyoshi (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1-NE-15 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan) ,  Konagai Makoto (MEXT/FUTURE-PV Innovation Research, Japan Science and Technology Agency (JST), 2-2-9 Machiike-dai, Koriyama, Fukushima 963-0298, Japan) ,  Konagai Makoto (Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, 8-15-1, Todoroki, Setagaya-ku, Tokyo 158-0082, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 628  ページ： 214-220  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 固有非晶質シリコン酸化物(a Si_1xO_x:H)バッファ層をプラズマ増強化学蒸着(PECVD)法を用いて結晶シリコン(c Si)ウエハの両側上に堆積した。シラン(SiH_4)二酸化炭素(CO_2)の入力ガス流量比はSi_1xO_x Si:Hバッファ層の不動態化と構造的性質を研究するために広い範囲で変化させた。本研究では,a Si_1xO_x:H層は非常に厚い場合(>15nm),約10msの非常に高い有効寿命は中程度のCO_2/SiH_4流量比でn型浮遊帯c-Si(3Ω cm, 280μm)で達成され,例外的に低い表面再結合速度(<1.4cm/s)を得た。CO_2/SiH_4流量比はかなり低かった(<0.13)または非常に高い(>0.47)のとき,表面不動態化品質が大幅に劣化させた。添加では,一定量のエピタキシャル相(epi-Si)は中程度のCO_2/SiH_4比で行ったいくつかの優れたバッファ層で観察された。さらに,エピSi含有量が不動態化品質に影響を与えることなくCO_2/SiH_4比をわずかに増やすことにより徐々に抑制されることが分かった。Si_1xO_x Si:Hバッファ層の厚さはSiヘテロ接合(SHJ)太陽電池によって必要とされるほんの数ナノメートルに保たれたとき,バッファ層のためのPECVD最適条件(CO_2/SiH_4比)は,実用的なSHJ太陽電池における直接a Si_1xO_x Si:Hバッファ層を適用することにより明らかにした。エピSiの一定量(22%)を含むa Si_1xO_x Si:Hバッファ層は,太陽電池の裏面電界側で使用した場合,高い開回路電圧(V_OC)ならびに高い曲線因子(FF)が同時に得られることが分かった。対照的に,太陽電池のエミッタ側で,エピSiなしでバッファ層は優れたSHJ太陽電池の高品質表面不動態化を提供するために使用できる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 不動態化 ,  *酸化ケイ素 ,  シラン ,  *エピタクシー ,  構造特性 ,  *バッファ層 ,  二酸化炭素 ,  *ヘテロ接合 ,  *最適条件 ,  品質 ,  *非晶質 ,  *太陽電池 ,  プラズマCVD
準シソーラス用語： シリコン太陽電池 ,  開回路電圧 ,  流量比 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： シリコンヘテロ接合太陽電池 ,  非晶質酸化けい素 ,  表面不動態化 ,  エピタキシャル成長 ,  分光偏光解析法

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： シリコン ,  ヘテロ接合太陽電池 ,  真性半導体 ,  アモルファス ,  シリコン酸化物 ,  バッファ層 ,  最適条件 ,  エピタキシャル成長