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J-GLOBAL ID:201702287117084356   整理番号:17A1220803

GaN pnダイオードの放射線検出特性の研究

Study of radiation detection properties of GaN pn diode
著者 (10件):
資料名:
巻: 55  号: 5S  ページ: 05FJ02.1-05FJ02.3  発行年: 2016年05月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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最近,光学素子及び高電力電子素子の材料としての顕著な特性をもつGaNが,放射線検出用の材料として注目を引いている。以前,著者らは,中性子検出器材料としてBGaNの使用を示唆した。しかしながら,GaNそのものの放射線検出特性が,まだ良く理解されていなかった。BGaN中性子検出器の実現には,中性子検出器のベース材料であるGaNの放射線検出特性の理解が重要である。本研究において,GaNの放射線検出特性を評価した。アルファ線,ガンマ線,及び熱中性子照射下におけるI-V及びエネルギースペクトル測定を行い,GaNダイオードの放射線検出特性を特性評価した。得られた結果は,GaNが,提案した新しいBGaNベース中性子検出器に対する有効な材料であることを示した。(翻訳著者抄録)
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放射線検出・検出器  ,  ダイオード 
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