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J-GLOBAL ID：201702287314038416   整理番号：17A0151788

TiO₂/GaN/AlGaN/GaN/Si金属酸化物半導体高電子移動度トランジスタに対する蒸着後アニーリングの影響

Effects of postdeposition annealing on TiO₂/GaN/AlGaN/GaN/Si metal-oxide-semiconductor high-electron mobility transistors

著者 (2件)： Lin Yu-Shyan (Department of Materials Science and Engineering, National Dong Hwa University, 1, Sec. 2, Da Hsueh Rd., Shou-Feng, Hualien 974, Taiwan) ,  Lu Chi-Che (Department of Materials Science and Engineering, National Dong Hwa University, 1, Sec. 2, Da Hsueh Rd., Shou-Feng, Hualien 974, Taiwan)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35  号： 1  ページ： 011209-011209-3  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,TiO₂/GaN/AlGaN/GaN/Si金属酸化物半導体高電子移動度トランジスタ(MOS-HEMT)を紹介した。測定したMOS-HEMTの直流,マイクロ波,及び電力特性は同一形状のHEMT素子よりも優れていた。さらに,MOS-HEMTの電気特性に及ぼす酸素環境下での蒸着後アニーリング(PDA)の効果を調べた。本論文はTiO₂ GaN系MOS-HEMTに対するPDAの効果の初めての報告である。TiO₂/GaN界面の品質は焼なまし後に顕著な改善を示した。これらの結果は高出力マイクロ波素子用の焼なましたTiO₂ AlGaN/GaN MOS-HEMTの可能性を明確に確立した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 酸化チタン ,  *窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  ケイ素 ,  *HEMT ,  *MOS構造 ,  薄膜成長 ,  *焼なまし ,  電流密度 ,  容量電圧特性 ,  静電容量 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  電圧
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  二酸化チタン ,  *窒化ガリウムアルミニウム ,  ポストアニーリング

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： TiO2 ,  GaN ,  AlGaN ,  Si ,  金属酸化物半導体 ,  高電子移動度トランジスタ ,  蒸着 ,  アニーリング