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J-GLOBAL ID：201702287800318201   整理番号：17A1544920

マイクロエレクトロニクスにおける炭素関連欠陥【Powered by NICT】

Carbon-related defects in microelectronics

著者 (3件)： Kolkovsky Vl. (Fraunhofer IPMS, Dresden Maria-Reiche Str. 2, 01109 Dresden, Germany) ,  Stuebner R. (Technische Universitaet Dresden, 01062 Dresden, Germany) ,  Weber J. (Technische Universitaet Dresden, 01062 Dresden, Germany)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 76-77  ページ： 145-148  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,高電力素子とCMOS光検出器における強い再結合中心として作用する,電気的に活性な炭素と水素(CH)欠陥はn型Siで調べた。いくつかの異なるCH関連欠陥は酸素含有量の異なる水素化Si試料の深準位過渡分光(DLTS)法を用いて観測した。これらの欠陥の濃度は10~12 10~13cm~ 3を決定した。異なるO,C,H濃度の試料を比較することによりCH関連欠陥の起源を導いた。は電気的に不活性な置換型Cの濃度は同一酸素を有していると知られている炭素含有量参照試料と試料中の電気的に活性なCHに関係した欠陥の深さプロフィルの比較により推定できることを示した。このアプローチは10~15cm~ 3より低い置換型Cの濃度に対しても適用可能である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： CMOS ,  光検出器 ,  水素化 ,  *マイクロエレクトロニクス ,  深さプロフィル ,  再結合中心 ,  ケイ素 ,  *炭素 ,  深準位過渡分光法
準シソーラス用語： 炭素量 ,  酸素含有量 ,  パワーデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： DLTS ,  欠陥 ,  シリコン ,  炭素 ,  酸素

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (3件)： マイクロエレクトロニクス ,  炭素 ,  欠陥