文献

J-GLOBAL ID：201702287919547758   整理番号：17A1906952

ミリ波応用のためのゲート挿入金属層を有するAlGaN/GaN型HEMTの熱安定性と小信号特性

Thermal stability and small-signal characteristics of AlGaN/GaN HEMTs with gate insertion metal layer for millimeter-wave applications

著者 (6件)： Kim Dong-Hwan (Department of Electrical and Computer Engineering, Inter-university Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul 08826, South Korea) ,  Eom Su-Keun (Department of Electrical and Computer Engineering, Inter-university Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul 08826, South Korea) ,  Jeong Jun-Seok (Department of Electrical and Computer Engineering, Inter-university Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul 08826, South Korea) ,  Lee Jae-Gil (Department of Electrical and Computer Engineering, Inter-university Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul 08826, South Korea) ,  Seo Kwang-Seok (Department of Electrical and Computer Engineering, Inter-university Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul 08826, South Korea) ,  Cha Ho-Young (School of Electronic and Electrical Engineering, Hongik University, Seoul 04066, South Korea)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35  号： 6  ページ： 060601-060601-5  発行年： 2017年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 挿入ゲート金属がポストメタライゼーションアニーリング(PMA)プロセスを受けたGaNミリ波デバイスに及ぼす影響を調べた。PMAプロセスはゲート抵抗(R_g)を増加させ,最大発振周波数(f_max)の減少の原因となることが分かった。種々のゲート金属積層(Ni/AuやNi/Mo/Auなど)を含むラインパターンの関数として,抵抗を低温度から550°Cまでのアニーリング前後で調べた。Mo挿入層を持つ金属スタックは効果的にGaNへのAu拡散を抑制し,ゲート金属抵抗の増加を抑制した。Ni/Mo/Auゲートを用いて作製したSi上のAlGaN/GaN型高電子移動度トランジスタでは,Ni/Auゲートと比較して,安定なゲート信頼性,改善された電流崩壊特性と小信号特性が達成された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *トランジスタ ,  *ゲート【半導体】 ,  アルミニウム化合物 ,  窒化ガリウム ,  *HEMT ,  *熱安定性 ,  *周波数 ,  特性
準シソーラス用語： AlGaN/GaN ,  デバイス特性 ,  *ミリ波トランジスター ,  *金属ゲート ,  *最大発振周波数

分類 (3件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の電気・電子部品  (NA05090R)

タイトルに関連する用語 (9件)： ミリ波 ,  応用 ,  ゲート ,  金属層 ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  熱安定性 ,  信号特性