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J-GLOBAL ID：201702290093396052   整理番号：17A1391427

FinFETを基本としたシステムオンチップ技術のためのハイブリッドフィン/平面LDMOS設計のシミュレーションに基づく研究【Powered by NICT】

Simulation-Based Study of Hybrid Fin/Planar LDMOS Design for FinFET-Based System-on-Chip Technology

著者 (7件)： Wu Yi-Ting (Department of Electrical Engineering, Institute of Microelectronics, National Cheng Kung University, Tainan City, Taiwan) ,  Ding Fei (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA) ,  Connelly Daniel (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA) ,  Zheng Peng (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA) ,  Chiang Meng-Hsueh (Department of Electrical Engineering, Institute of Microelectronics, National Cheng Kung University, Tainan City, Taiwan) ,  Chen Jone F. (Department of Electrical Engineering, Institute of Microelectronics, National Cheng Kung University, Tainan City, Taiwan) ,  Liu Tsu-Jae King (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 10  ページ： 4193-4199  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハイブリッドフィン/平面横方向二重拡散MOSFET(LDMOS)設計(ハイブリッドFET)は高電圧入力のために提案した FinFETシステムオンチップ(SoC)技術の出力装置三次元技術コンピュータ支援設計シミュレーションは,平面ドリフト領域と平面ドレイン領域は特定のオン状態抵抗(R_on_sp)比(BV~/_on_sp)に高い降伏電圧(BV)に有利であることを示した。半導体活性領域の平面部分を拡張ゲートチャネル領域にわずかににより,LDMOSのためのBV~/_on_spの理論的限界を解決できる可能性がある。ハイブリッドFETは,最先端FinFET SoC技術と互換性のあるプロセスフローを用いて作製することができた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 互換性 ,  *シミュレーション ,  半導体 ,  出力装置 ,  ドリフト ,  活性部位 ,  三次元 ,  CAD【計算機】
準シソーラス用語： 最先端 ,  絶縁破壊電圧 ,  オン状態 ,  *LDMOS ,  *システムオンチップ ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： FinFET ,  システムオンチップ ,  フィン ,  LDMOS ,  設計 ,  シミュレーション ,  研究