Fauquier L. について
STMicroelectronics, 850 Rue Jean Monnet, 38920 Crolles, France について
Fauquier L. について
Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France について
Fauquier L. について
CNRS, LTM, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France について
Pelissier B. について
Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France について
Pelissier B. について
CNRS, LTM, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France について
Jalabert D. について
Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France について
Jalabert D. について
CEA, INAC (SP2M/LEMMA), F-38000 Grenoble, France について
Pierre F. について
Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France について
Pierre F. について
CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France について
Gassilloud R. について
Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France について
Gassilloud R. について
CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France について
Doloy D. について
STMicroelectronics, 850 Rue Jean Monnet, 38920 Crolles, France について
Beitia C. について
Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France について
Beitia C. について
CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France について
Baron T. について
Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France について
Baron T. について
CNRS, LTM, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France について
Microelectronic Engineering について
イオン散乱 について
高分解能 について
深さプロフィル について
キャラクタリゼーション について
金属酸化物 について
トランジスタ について
半導体 について
X線光電子分光法 について
CMOS について
酸化チッ化ケイ素 について
メタルゲート について
32nmノード について
ゲートスタック について
深さプロファイリング について
pARXPS について
MEIS について
HfON について
SiON について
HKMG について
トランジスタ について
金属-絶縁体-半導体構造 について
固体デバイス計測・試験・信頼性 について
トランジスタ について
ゲートスタック について
Meis について
深さプロファイリング について
研究 について