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J-GLOBAL ID：201702290446839888   整理番号：17A0151793

Gaの集束イオンビーム注入によるリソグラフィーフリー配置GaAsナノワイヤ成長

Lithography-free positioned GaAs nanowire growth with focused ion beam implantation of Ga

著者 (9件)： Detz Hermann (Austrian Academy of Sciences, Dr. Ignaz Seipel-Platz 2, 1010 Wien, Austria and Center for Micro- and Nanostructures and Institute for Solid-State Elecronics, TU Wien, Floragasse 7, 1040 Wien, Austria) ,  Kriz Martin (Center for Micro- and Nanostructures and Institute for Solid-State Elecronics, TU Wien, Floragasse 7, 1040 Wien, Austria) ,  Lancaster Suzanne (Center for Micro- and Nanostructures and Institute for Solid-State Elecronics, TU Wien, Floragasse 7, 1040 Wien, Austria) ,  MacFarland Donald (Center for Micro- and Nanostructures and Institute for Solid-State Elecronics, TU Wien, Floragasse 7, 1040 Wien, Austria) ,  Schinnerl Markus (Center for Micro- and Nanostructures and Institute for Solid-State Elecronics, TU Wien, Floragasse 7, 1040 Wien, Austria) ,  Zederbauer Tobias (Center for Micro- and Nanostructures and Institute for Solid-State Elecronics, TU Wien, Floragasse 7, 1040 Wien, Austria) ,  Andrews Aaron Maxwell (Center for Micro- and Nanostructures and Institute for Solid-State Elecronics, TU Wien, Floragasse 7, 1040 Wien, Austria) ,  Schrenk Werner (Center for Micro- and Nanostructures and Institute for Solid-State Elecronics, TU Wien, Floragasse 7, 1040 Wien, Austria) ,  Strasser Gottfried (Center for Micro- and Nanostructures and Institute for Solid-State Elecronics, TU Wien, Floragasse 7, 1040 Wien, Austria)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35  号： 1  ページ： 011803-011803-5  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： リソグラフィーを用いずに,分子ビームエピタクシーにより規定位置にGaAsナノワイヤを成長させる技術について報告した。本研究では,集束イオンビームを用いてGaイオンをSi(100)およびSi(111)基板に注入し,焼なまし後に表面にナノ液滴を形成し,これを核形成中心に用いてナノワイヤを自己触媒成長させた。この手順は他のリソグラフィー工程で必要とされる有機化学物質を完全に排除し,従って超清浄環境と完全に両立しつつ,定義した柔軟形状ナノワイヤの成長を可能にする。最小必要ピッチ幅は埋め込まれたGa点アレイで決まり,焼なましされて液滴を形成する。Si(100)およびSi(111)基板上のGaAsナノワイヤのエピタキシャル歩留まりを,加速電圧と注入量に関して評価し。ナノワイヤの直径は成長表面の熱力学的性質で決まる一方,埋込みパラメータには影響されない。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 集束イオンビーム ,  イオン注入 ,  *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *ナノワイヤ ,  *MBE成長 ,  ガリウム ,  ウエハ【IC】
準シソーラス用語： ケイ素基板

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ga ,  集束イオンビーム ,  注入 ,  リソグラフィー ,  GaAs ,  ナノワイヤ ,  成長