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J-GLOBAL ID：201702290464643000   整理番号：17A1406443

ポリマー粒子/酸化セリウムコアシェル粒子を用いた単結晶SiC基板の電解援用研磨

著者 (1件)： 村田順二 (近畿大 理工)
資料名： Fine Ceramics Report  (Fine Ceramics Report)
巻： 35  号： 4  ページ： 144-147  発行年： 2017年10月20日 
JST資料番号： L0506A  ISSN： 0911-5269  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 単結晶SiCはSi半導体に代わり,パワー電子デバイスへの応用が進められている。SiCの機械研磨工程ではダイヤモンド研磨材が使用されているが,SiC表面に加工変質層(ダメージ層)が発生するため,最終研磨工程には使用できない。SiCの研磨効率向上を目的とした加工法として,既存の研磨法に対してさまざまなエネルギーを付与した新たな加工法が開発されている。本稿では,筆者らが開発した電解酸化を援用したSiCの研磨加工法について紹介した。本加工法では,SiC(陽極)と研磨プレート(陰極)間に電圧を印加して陽極酸化により酸化膜を形成し,酸化セリウム研磨材により除去する。1)SiC基板研磨技術の動向,2)コアシェル粒子を用いた電解酸化援用研磨法の概要,3)コアシェル粒子の製造,4)加工特性。

シソーラス用語： パワーエレクトロニクス ,  *炭化ケイ素 ,  単結晶 ,  *基板 ,  *電解研磨 ,  加工変質層 ,  表面性状 ,  *アノード酸化 ,  酸化膜 ,  研削材 ,  酸化セリウム ,  微粒子 ,  コア構造 ,  シェル ,  電子顕微鏡観察 ,  表面粗さ ,  光学顕微鏡法
準シソーラス用語： 炭化ケイ素基板 ,  電解酸化 ,  研磨材 ,  コアシェル粒子 ,  走査電子顕微鏡法 ,  干渉顕微鏡法

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (3件)：

• J. Murata, K. Yodogawa and K. Ban : Polishing-pad-free electrochemical mechanical polishing of single-crystalline SiC surfaces using polyurethane-CeO₂ core-shell particles, Int. J. Mach. Tools & Manuf., 114, p1-7 (2017)
• 一廼穂直聡,村田順二,谷 泰弘,張 宇 : 複合砥粒を用いた研磨に適した研磨パッドの表面構造, 日本機械学会論文集, 82, 15-00447 (2017)
• J. Murata, Y. Ueno, K. Yodogawa and T. Sugiura : Polymer/CeO₂-Fe₃O₄ multicomponent core-shell particles for high-efficiency magnetic-field-assisted polishing processes, Int. J. Mach. Tools & Manuf., 101, p28-34 (2016)

タイトルに関連する用語 (8件)： ポリマー粒子 ,  酸化セリウム ,  コアシェル粒子 ,  単結晶 ,  SiC基板 ,  電解 ,  援用 ,  研磨