Waller William M. について
H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol, U.K. について
Gajda Mark について
Nexperia, Stockport, U.K. について
Pandey Saurabh について
Nexperia, Stockport, U.K. について
Donkers Johan J. T. M. について
NXP Semiconductors, Eindhoven, The Netherlands について
Calton David について
NXP Semiconductors, Eindhoven, The Netherlands について
Croon Jeroen について
NXP Semiconductors, Eindhoven, The Netherlands について
Sonsky Jan について
NXP Semiconductors, Eindhoven, The Netherlands について
Uren Michael J. について
H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol, U.K. について
Kuball Martin について
H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol, U.K. について
IEEE Transactions on Electron Devices について
LPCVD について
HEMT について
ドーピング について
電流 について
化学量論 について
窒化ガリウム について
Ohm接触 について
炭素 について
チャネル長 について
電荷捕獲 について
基板バイアス について
伝導率 について
電力HEMT について
表面不動態化 について
電流コラプス について
トランジスタ について
蒸着 について
AlGaN について
EMT について
バッファ について
誘起 について
電流コラプス について