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J-GLOBAL ID：201702291483483192   整理番号：17A1391406

SiN_x蒸着を用いたAlGaN/GaNH EMTにおけるバッファ誘起電流コラプスの制御【Powered by NICT】

Control of Buffer-Induced Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs Using SiN_x Deposition

著者 (9件)： Waller William M. (H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol, U.K.) ,  Gajda Mark (Nexperia, Stockport, U.K.) ,  Pandey Saurabh (Nexperia, Stockport, U.K.) ,  Donkers Johan J. T. M. (NXP Semiconductors, Eindhoven, The Netherlands) ,  Calton David (NXP Semiconductors, Eindhoven, The Netherlands) ,  Croon Jeroen (NXP Semiconductors, Eindhoven, The Netherlands) ,  Sonsky Jan (NXP Semiconductors, Eindhoven, The Netherlands) ,  Uren Michael J. (H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol, U.K.) ,  Kuball Martin (H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol, U.K.)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 10  ページ： 4044-4049  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低圧化学蒸着SiN_x表面不動態化の化学量論は,GaN-on-Si電力高電子移動度トランジスタ(HEMT)におけるエピタキシャルスタックの頂部での垂直伝導率を変化させることを示した。これは,高電圧動作中の炭素をドープしたGaN層中に蓄積された電荷を変化させ,EMTにおけるバッファに関連した電流崩壊の直接制御を可能にする。基板バイアスランプはGaN電荷捕獲と垂直漏れの変化を同定した。チャネル長依存性をOhm接触下の垂直伝導率の局所的増加によるC:GaNにおける横方向の伝導率を示した。最適SiN_x処方は,低電流崩壊と低いドレイン漏れを同時に同定した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： LPCVD ,  HEMT ,  ドーピング ,  *電流 ,  化学量論 ,  *窒化ガリウム ,  Ohm接触 ,  炭素
準シソーラス用語： チャネル長 ,  電荷捕獲 ,  基板バイアス ,  伝導率 ,  電力HEMT ,  表面不動態化 ,  *電流コラプス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 蒸着 ,  AlGaN ,  EMT ,  バッファ ,  誘起 ,  電流コラプス