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J-GLOBAL ID：201702291628239912   整理番号：17A1220924

マイクロ・ナノスケール集束イオンビーム加工シリコン構造の破壊挙動に及ぼす700°C真空アニールの影響

Influence of 700 °C vacuum annealing on fracture behavior of micro/nanoscale focused ion beam fabricated silicon structures

著者 (5件)： GOSHIMA Yoshiharu (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  GOSHIMA Yoshiharu (HORIBA Ltd., Kyoto, JPN) ,  FUJII Tatsuya (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  INOUE Shozo (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  NAMAZU Takahiro (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55  号： 6S1  ページ： 06GL03.1-06GL03.6  発行年： 2016年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,集束イオンビーム(FIB)で作製したマイクロ・ナノスケールSi構造の強度・破壊挙動に与える700°Cの真空アニールの影響について述べる。Silicon-on-nothing(SON)膜から作製されたSiナノワイヤ(NW)を,FIBを用いて製造した。マイクロスケールSi試料は,従来のマイクロマシニング技術およびFIBによって製造された。これらの試験片は,それぞれ特別に開発された微小電気機械システム(MEMS)装置および薄膜引張試験機を用いて,破損まで引っ張られた。ナノおよびマイクロスケールの試料の平均破壊強度は,それぞれ5.6および1.6GPaであり,700°Cで10秒間の真空アニール後に2.9および0.9GPaに減少した。これらの強度値は,アニール時間の増加と共に変化しなかった。破壊起点とその挙動について,破壊面とFIB損傷層の観察から考察した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 規模 ,  *集束イオンビーム ,  *イオンビーム加工 ,  破壊 ,  *破壊強さ ,  *ナノワイヤ ,  MEMS ,  *引張試験 ,  焼なまし
準シソーラス用語： アニール ,  *ケイ素ナノワイヤ ,  ナノスケール ,  引張試験機

分類 (3件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  材料試験  (HB02020U)

引用文献 (30件)：

• M. Jublot and M. Texier, Micron 56, 63 (2014).
• R. K. Nalla, A. E. Porter, C. Daraio, A. M. Minor, V. Radmilovic, E. A. Stach, A. P. Tomsia, and R. O. Ritchie, Micron 36, 672 (2005).
• R. J. Young, Vacuum 44, 353 (1993).
• T. Dinh, H.-P. Phan, T. Kozeki, A. Qamar, T. Namazu, N.-T. Nguyen, and D. V. Dao, RSC Adv. 5, 106083 (2015).
• T. Sumigawa, R. Shiohara, K. Matsumoto, and T. Kitamura, Acta Mater. 61, 2692 (2013).

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノスケール ,  集束イオンビーム ,  シリコン ,  破壊挙動 ,  真空 ,  アニール