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J-GLOBAL ID：201702291889659547   整理番号：17A0462698

MEMS用途向け低ホウ素含有ナノ結晶Ni-Bの電着とキャラクタリゼーション

Electrodeposition and Characterization of Nanocrystalline Ni-B with Low Boron Content for MEMS Applications

著者 (4件)： KWON Hong-Beom (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  KIM KyongTae (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  AHN Hye-Rin (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Yong-Jun (Yonsei Univ., Seoul, KOR)
資料名： Sensors and Materials  (Sensors and Materials)
巻： 29  号： 3  ページ： 225-234  発行年： 2017年 
JST資料番号： L0338A  ISSN： 0914-4935  CODEN： SENMER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,微小電気機械システム(MEMS)用途のために,低ホウ素含有量(すなわち,0.05,0.12および0.19重量%)を有する3種類のナノ結晶(NC)Ni-B電着物を作製し,特徴づけた。製造は,ホウ素源であるジメチルアミンボラン(DMAB)の濃度を調整してスルファミン酸ニッケル溶液中で電着することによって行った。電着物は高い熱安定性を示し,573Kでその粒度を維持することができたが,純粋なNC Niは473Kで再結晶を開始した。これはニッケル母材中にNixBの沈殿物が生成し,高温で粒成長を効果的に妨げた。さらに,NC Ni-B電着物の機械的性質は著しく向上し,優れた機械的性能を示した。573Kの熱処理を施したNi-0.19Bの硬さと弾性率は,それぞれ251.4と12.6GPaであり,純粋なNC Niよりもはるかに高かった。これらの優れた特性は,高い機械的性能および熱安定性を必要とするマイクロギア,マイクロカンチレバー,マイクロアクチュエータ,およびMEMSプローブカードとしてのNC Ni-B電着の可能性を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MEMS ,  *ホウ素 ,  *ナノ結晶 ,  *キャラクタリゼーション ,  ニッケル化合物 ,  ホウ化物 ,  *析出物 ,  熱安定性
準シソーラス用語： *電着物 ,  硼化ニッケル

分類 (2件)： 電気めっき  (WC08023B) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： ジメチルアミンボラン

引用文献 (26件)：

• I. C. Choi, Y. J. Kim, M. Y. Seok, B. G. Yoo, J. Y. Kim, Y. Wang, and J. I. Jong: Int. J. Plast. 41 (2013) 53.
• T. Nagoshi, T. F. M. Chang, S. Tatsuo, and M. Sone: Microelectron. Eng. 110 (2013) 270.
• M. Baghbanan, U. Erb, and G. Palumbo: Phys. Status Solidi A 203 (2006) 1259.
• J. Li and G. J. Weng: Int. J. Plast. 23 (2007) 2115.
• M. A. Meyers, A. Mishra, and D. J. Benson: Prog. Mater. Sci. 51 (2006) 427.

タイトルに関連する用語 (7件)： MEMS ,  用途 ,  ホウ素 ,  ナノ結晶 ,  Ni ,  電着 ,  キャラクタリゼーション