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J-GLOBAL ID：201702292080452110   整理番号：17A1223653

太陽水素発生のためのタンデム太陽光-光電気化学GaAs/InGaAsP-WO₃/BiVO₄素子

Tandem photovoltaic-photoelectrochemical GaAs/InGaAsP-WO₃/BiVO₄ device for solar hydrogen generation

著者 (15件)： KOSAR Sonya (Chernivtsy National Univ., Chernivtsy, UKR) ,  PIHOSH Yuriy (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TURKEVYCH Ivan (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  TURKEVYCH Ivan (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  MAWATARI Kazuma (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  UEMURA Jin (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KAZOE Yutaka (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  MAKITA Kikuo (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  SUGAYA Takeyoshi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  MATSUI Takuya (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  FUJITA Daisuke (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  TOSA Masahiro (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  STRUK Yaroslav M. (Chernivtsy National Univ., Chernivtsy, UKR) ,  KONDO Michio (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  KITAMORI Takehiko (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55  号： 4S  ページ： 04ES01.1-04ES01.5  発行年： 2016年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs/InGaAsP(PVセル)とWO₃/BiVO₄コア/シェルナノロッド(PECセル)をベースにした太陽光-光電気化学(PV-PEC)タンデム素子による水分解経由の高効率太陽水素発生を実証した。WO₃/BiVO₄コア/シェルヘテロ接合ナノロッドを設計するために非常に薄い吸収材(ETA)の概念を利用し,WO₃/BiVO₄材料の組合わせに可能な光誘起電荷キャリアの生成,分離および移動の最高効率を得た。PV-PECタンデムは,8.1%の記録的太陽-水素(STH)変換効率に相当する標準AM1.5G太陽光下で6.56mA・cm^-2の安定した水分解光電流を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *太陽エネルギー ,  *発生 ,  積層構造 ,  太陽光 ,  光電気化学 ,  *ヒ化ガリウム ,  *ヒ化リン化インジウムガリウム ,  *酸化タングステン ,  *ビスマス化合物 ,  *バナジウム酸塩 ,  コアシェル構造 ,  ナノロッド ,  分解反応 ,  *ヘテロ接合 ,  材料 ,  キャリア ,  誘導 ,  キャリア生成 ,  分離 ,  移動 ,  効率 ,  エネルギー変換効率 ,  光電流
準シソーラス用語： キャリア移動 ,  キャリア分離 ,  光吸収材 ,  光誘起 ,  *水素発生 ,  水分解 ,  電荷キャリア

分類 (3件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  気体燃料の製造  (YE02030F) ,  太陽エネルギー利用機器  (QE05020H)

引用文献 (34件)：

• A. Fujishima and K. Honda, Nature 238, 37 (1972).
• F. F. Abdi, T. J. Savenije, M. M. May, B. Dam, and R. van de Krol, J. Phys. Chem. Lett. 4, 2752 (2013).
• K. Sayama, A. Nomura, T. Arai, T. Sugita, R. Abe, M. Yanagida. T. Oi, Y. Iwasaki, Y. Abe, and H. Sugihara, J. Phys. Chem. B 110, 11352 (2006).
• P. Chatchai, Y. Murakami, S. Kishioka, A. Nosaka, and Y. Nosaka, Electrochem. Solid-State Lett. 11, H160 (2008).
• S. P. Berglund, D. W. Flaherty, N. T. Hahn, A. J. Bard, and C B Mullins, J. Phys. Chem. C 115, 3794 (2011).

タイトルに関連する用語 (7件)： 太陽水素 ,  タンデム ,  太陽光 ,  光電気化学 ,  GaAs ,  InGaAsP ,  BiVO4