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J-GLOBAL ID：201702293460437041   整理番号：17A0955246

HfO₂/Al₂O₃/InGaAsゲートスタックを有するMOSFETにおけるゲート電圧掃引幅と堆積温度に対する電子移動度の依存性

Dependence of electron mobility on gate voltage sweeping width and deposition temperature in MOSFETs with HfO₂/Al₂O₃/InGaAs gate stacks

著者 (5件)： OHSAWA Kazuto (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  NETSU Seiko (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  KISE Nobukazu (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  NOGUCHI Shinji (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  MIYAMOTO Yasuyuki (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 4S  ページ： 04CG05.1-04CG05.5  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Al₂O₃/InGaAsまたはHfO₂/Al₂O₃/InGaAsゲートスタックを用いたMOSFETを作製した。低温原子層堆積の前に,表面を窒素プラズマおよびトリメチルアルミニウムで洗浄した。容量-ゲート電圧(C-V_G)およびドレイン電流-ゲート電圧(I_D-V_G)特性を用いて電子移動度を求めた。C-V_GおよびI_D-V_G測定中にゲート電圧掃引幅が増加すると,移動度が減少することを確認した。更に,堆積温度を120°Cに下げると,HfO₂/Al₂O₃/InGaAsゲートスタックを有するMOSFETの移動度は,300°Cで堆積した場合よりも改善されることを示した。更に,種々のAl₂O₃厚さを有するHfO₂/Al₂O₃/InGaAsゲートスタックを作製した。Al₂O₃堆積サイクル数が4を超えると,HfO₂/Al₂O₃/InGaAsゲートスタックを有するMOSFETの移動度が向上し,Al₂O₃/InGaAsゲートスタックの値に達した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  酸化アルミニウム ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *MOSFET ,  *キャリア移動度 ,  静電容量 ,  電圧 ,  温度依存性 ,  *ゲート【半導体】 ,  電荷分布 ,  密度 ,  化学蒸着 ,  電流電圧特性 ,  電子移動度 ,  電荷密度
準シソーラス用語： *InGaAs ,  ゲート電圧 ,  *ゲートスタック ,  原子層堆積

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： トリメチルアルミニウム

引用文献 (32件)：

• J. A. del Alamo, Nature 479, 317 (2011).
• S. Oktyabrsky and P. D. Ye, Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs (Springer, Heidelberg, 2009) p. 31.
• C. Y. Huang, P. Choudhary, S. Lee, S. Kraemer, V. Chobpattana, B. Thibeault, W. Mitchell, S. Stemmer, A. Grossard, and M. Rodwell, Compound Semiconductor Week, 2015, We1E6.2.
• G. Sereni, L. Vandelli, L. Larcher, L. Morassi, D. Veksler, and G. Bersuker, IEEE Int. Reliability Physics Symp., 2014, 2C.3.1.
• M. Heyns and W. Tsai, MRS Bull. 34, 485 (2009).

タイトルに関連する用語 (10件)： HfO2 ,  Al2O3 ,  InGaAs ,  ゲートスタック ,  MOSFET ,  ゲート電圧 ,  掃引 ,  堆積 ,  電子移動度 ,  依存性