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J-GLOBAL ID：201702298331337264   整理番号：17A0124352

組成勾配p-AlGaN不規則鋸歯状電子阻止層を有する近紫外発光ダイオードの改善された性能【Powered by NICT】

Improved performance of near UV light-emitting diodes with a composition-graded p-AlGaN irregular sawtooth electron-blocking layer

著者 (12件)： Qin Ping (Institute of Opto-electronic Materials and Technology, South China Normal University) ,  Song Weidong (Institute of Opto-electronic Materials and Technology, South China Normal University) ,  Hu Wenxiao (Institute of Opto-electronic Materials and Technology, South China Normal University) ,  Zhang Yuanwen (Institute of Opto-electronic Materials and Technology, South China Normal University) ,  Zhang Chongzhen (Institute of Opto-electronic Materials and Technology, South China Normal University) ,  Wang Rupeng (Institute of Opto-electronic Materials and Technology, South China Normal University) ,  Zhao Liangliang (Institute of Opto-electronic Materials and Technology, South China Normal University) ,  Xia Chao (Institute of Opto-electronic Materials and Technology, South China Normal University) ,  Yuan Songyang (Institute of Opto-electronic Materials and Technology, South China Normal University) ,  Yin Yian (Institute of Opto-electronic Materials and Technology, South China Normal University) ,  Li Shuti (Institute of Opto-electronic Materials and Technology, South China Normal University) ,  Su Shichen (Institute of Opto-electronic Materials and Technology, South China Normal University)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 8  ページ： 088505-1-088505-05  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： APSYSシミュレーションプログラムを用いて特別に設計した不規則な鋸歯状電子遮断層(EBL)を用いて各近紫外(約350nm,360nm)発光ダイオード(LED)の性能を調べた。内部量子効率(IQE),光出力パワー,量子井戸中のキャリア密度,エネルギーバンド図,静電場を注意深く解析した。結果は,組成傾斜p Al_xGa(1 x)N不規則な鋸歯状EBLを持つLEDは定常成分p-AlGaN EBLとの対応物よりも優れた性能を持つことを示した。改善はEBLと活性領域の改善された分極場だけでなくEBL/p AlGaN界面のバンド曲がりの緩和,電子漏れとより良い正孔注入効率をもたらすに帰することができ,効率低下を減少させると放射再結合速度を向上させることができる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 静電場 ,  *近紫外線 ,  界面 ,  量子井戸 ,  *発光ダイオード ,  キャリア密度 ,  活性部位 ,  *セレーション
準シソーラス用語： 放射再結合 ,  正孔注入 ,  バンド曲がり ,  組成傾斜 ,  光出力 ,  内部量子効率 ,  *窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： AlGaN系紫外発光ダイオード ,  不規則鋸歯状EBL ,  APSYSシミュレーションプログラム ,  出力

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 組成勾配 ,  AlGaN ,  鋸歯状 ,  電子 ,  阻止 ,  紫外発光ダイオード