特許

J-GLOBAL ID：201703000026431393

化合物半導体装置及びその製造方法

発明者： 高橋 剛
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-154778
公開番号（公開出願番号）：特開2015-026690
特許番号：特許第6107508号
出願日： 2013年07月25日
公開日（公表日）： 2015年02月05日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基板と、 前記基板の上方に形成されたp型GaAsSbの第1の半導体層と、 前記第1の半導体層の上方に形成されたp型GaAsSbの第2の半導体層と、 前記第2の半導体層の上方に形成されたn型の第3の半導体層と、 前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に形成され、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間の電子のトンネルが可能な厚さのInPの第4の半導体層と、 前記第1の半導体層にオーミック接続された第1の電極と、 前記第3の半導体層にオーミック接続された第2の電極と、 を有し、 前記第1の半導体層は、前記第2の半導体層よりも前記第1の電極との接触抵抗が低い材料から形成されていることを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (11件)：

H01L 29/861 ( 200 6.01) ,  H01L 29/868 ( 200 6.01) ,  H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 29/778 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01) ,  H01L 27/095 ( 200 6.01) ,  H01L 29/66 ( 200 6.01) ,  H01L 29/41 ( 200 6.01) ,  H01L 29/207 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8232 ( 200 6.01) ,  H01L 27/06 ( 200 6.01)

FI (9件)：

H01L 29/91 F ,  H01L 29/91 L ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 E ,  H01L 29/66 T ,  H01L 29/91 H ,  H01L 29/44 L ,  H01L 29/207 ,  H01L 27/06 F

引用特許：

出願人引用 (5件)

• InPベースの半導体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-310332   出願人：ロックウェル・インターナショナル・コーポレイション
• 化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-257091   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-188320   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-276484   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-091065   出願人：株式会社東芝