特許
J-GLOBAL ID：201703000185115036
定方向流での化学気相浸透により緻密化させるために三次元形状をした多孔質基体を装填するための装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
鎌田 耕一
, 古田 昌稔
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-532447
特許番号：特許第6051222号
出願日： 2012年09月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 主として長手方向に延びる三次元形状をした多孔質基体を化学気相浸透により緻密化するための設備であって、
反応チャンバ(70)と、
前記チャンバの第1の端部に位置する反応ガス導入管(71)と、
前記チャンバの前記第1の端部とは反対側の第2の端部の近傍に位置する排出管(72)と、を備え、
前記チャンバは、主として長手方向に延びる三次元形状をした複数の多孔質基体を収容し、
前記基体は、装填装置(75)に配置され、
前記装填装置は、定方向流での化学気相浸透によるプリフォームの緻密化のための浸透炉の反応チャンバに、主として長手方向に延びる三次元形状をした複数の多孔質基体(20)を装填するための装填装置(10)であって、
少なくとも1つの環状装填台(11)であって、互いに同心円状に配置されかつ緻密化対象である前記多孔質基体のための環状装填空間(13)を互いの間に画定する第1環状垂直壁(110)と第2環状垂直壁(111)とによって形成される環状装填台(11)と、
前記環状装填空間(13)の下部および上部をそれぞれ覆う第1プレート(112)および第2プレート(113)と、を備え、
前記第1環状垂直壁(110)および前記第2環状垂直壁(111)のそれぞれは、前記環状装填空間(13)に配置された複数の支持要素(1100、1110)を備え、前記第1環状垂直壁の前記支持要素と前記第2環状垂直壁の前記支持要素とは、緻密化対象である各基体をそれぞれ受けるための単位装填セル(14)が互いの間に画定されるように径方向に並んで配置され、
少なくとも1つのガス供給オリフィス(1102)と少なくとも1つのガス排出オリフィス(1112)とを各単位装填セルの近傍にさらに備え、
前記各装填台(11)の前記第1環状垂直壁(110)は、少なくとも1つのガス供給オリフィス(1102)を各単位装填セル(14)の近傍に備え、
前記各装填台の前記第2環状垂直壁(111)は、少なくとも1つのガス排出オリフィス(1112)を各単位装填セル(14)の近傍に備え、
互いに積層されかつ前記第1、第2プレート(270、271)の間に配置された複数の環状装填台(210、220、230、240、250)を備え、
前記装置の1つまたは複数の前記ガス供給オリフィスに、前記チャンバの前記反応ガス導入管を介して反応ガスが供給される、設備。
IPC (5件)：
C23C 16/458 ( 200 6.01)
, F02C 7/00 ( 200 6.01)
, F01D 5/28 ( 200 6.01)
, C04B 41/87 ( 200 6.01)
, F27D 3/00 ( 200 6.01)
C23C 16/458
, F02C 7/00 D
, F02C 7/00 F
, F01D 5/28
, C04B 41/87 G
, F27D 3/00 Z
