化学蒸気浸透により薄い多孔質基体を高密度化する方法、及び当該基体のローディング装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (12件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 白根俊郎 , 村松貞男 , 野河信久 , 砂川克 , 橋本良郎 , 風間鉄也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-555673
公開番号（公開出願番号）：特表2008-530370
出願日： 2006年02月16日
公開日（公表日）： 2008年08月07日
要約：

本発明は、気相化学浸透手段により、薄い多孔質基体(1)を高密度化する方法に関するものである。本発明に係る方法は、第一及び第二プレート(12、13)の間に配置され、その周囲に高密度化される薄い多孔質基体が放射状に配置される管状導管(11)を具備するローディングツール(19)の使用を含む。装填されるとき、該ツールは、管状導管(11)に連結された反応ガス用注入口(21)を具備する浸透炉の反応チャンバー(20)内に配置され、これによりガスを基体(1)の主面に沿って実質的に放射状の流れ方向に流す導管にガスが入ることが可能となる。反応ガスはまた、反対方向、すなわち、外筒(16)からツール(10)内へ流入し、導管(11)を通って放出され得る。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

材料を堆積させて薄い多孔質基体(1)を高密度化するための化学蒸気浸透方法であって、高密度化する基体(1)を浸透炉の反応チャンバー(20)に装填すること、堆積する材料のすくなくとも1つの前駆体を含有する反応ガスを反応チャンバーの第一の縦方向端部(21)の近傍に流入させること、反応チャンバーの前記第一の端部とは反対側の縦方向端部の近傍に位置する排気口(22)を介して残渣ガスを除去すること、を含み、基体(1)が縦方向導管(11)の周囲に放射状に配置され、そのとき反応ガスは基体(1)の主面に沿って実質的に放射状方向に送られることを特徴とする方法。

IPC (2件)：

C23C 16/455 , C23C 16/44

FI (2件)：

C23C16/455 , C23C16/44 B

Fターム (12件)：

4K030AA06 , 4K030AA10 , 4K030BA27 , 4K030BA37 , 4K030CA05 , 4K030CA12 , 4K030EA03 , 4K030FA10 , 4K030GA02 , 4K030KA08 , 4K030KA12 , 4K030KA25

引用特許：

出願人引用 (5件)

米国特許出願公開第2004/237898号明細書
米国特許第5904957号明細書
プラズマCVD装置及びそれを用いた多層薄膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-083697 出願人：三洋電機株式会社

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