特許
J-GLOBAL ID：201703000712733681
高抵抗率シリコンオンインシュレータ基板の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
鮫島 睦
, 北原 康廣
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-512673
公開番号（公開出願番号）：特表2017-526190
出願日： 2015年09月02日
公開日（公表日）： 2017年09月07日
要約：
多層複合構造体および多層複合構造体を製造する方法が提供される。上記多層複合構造体は、少なくとも約500[Ω・cm]の最小バルク領域抵抗率を有する半導体ハンドル基板;上記半導体ハンドル基板の表面上の二酸化ケイ素層;上記二酸化ケイ素層と接触した炭素ドープしたアモルファスシリコン層;上記炭素ドープしたアモルファスシリコン層と接触した誘電体層;および上記誘電体層と接触した半導体素子層を含む。
請求項（抜粋）：
一方は半導体ハンドル基板の前面であり、他方は半導体ハンドル基板の裏面である、2つの主要な、概して平行な表面と、該半導体ハンドル基板の前面および裏面を接合する周縁エッジと、該半導体ハンドル基板の前面および裏面の間のバルク領域と、を含む半導体ハンドル基板;
該半導体ハンドル基板の前面に接触した界面層;
該界面層に接触した炭素ドープしたアモルファスシリコン層;
該炭素ドープしたアモルファスシリコン層と接触した誘電層;並びに
該誘電層と接触した半導体素子層;
を含み、
該半導体ハンドル基板が、少なくとも約500[Ω・cm]の最小バルク領域抵抗率を有することを特徴とする、多層構造体。
IPC (2件)：
FI (1件)：
引用特許：
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