特許

J-GLOBAL ID：201703000781355940

マルチコアプロセッサ用の調整可能なマルチティアSTT-MRAMキャッシュ

発明者： スン・エイチ・カン ,  シャオチュン・ジュウ ,  シャオシア・ウ
出願人/特許権者： クアルコム,インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 村山 靖彦 ,  黒田 晋平
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-526678
特許番号：特許第6196305号
出願日： 2013年08月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 マルチコアプロセッサの第1のコアに関連付けられ第1の属性に従って調整された、第1のスピン注入磁化反転磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)キャッシュであって、前記第1のコアの他のキャッシュ層に対する第1の下位レベルキャッシュである、第1のSTT-MRAMキャッシュと、 マルチコアプロセッサの第2のコアに関連付けられ第2の属性に従って調整された、第2のSTT-MRAMキャッシュであって、前記第2のコアの他のキャッシュ層に対する第2の下位レベルキャッシュであり、前記第1の属性は前記第2の属性と異なる、第2のSTT-MRAMキャッシュと を含み、 少なくとも1つの他のコアは、前記第1のSTT-MRAMキャッシュまたは前記第2のSTT-MRAMキャッシュに関連付けられ、 前記第1のSTT-MRAMキャッシュが、第1のサイズを有する第1のタイプの磁気トンネル接合(MTJ)を含み、且つ、前記第2のSTT-MRAMキャッシュが、前記第1のタイプのMTJよりも大きい第2のサイズを有する第2のタイプのMTJを含む、マルチコアプロセッサ。

IPC (1件)：

G06F 12/08 ( 201 6.01)

FI (3件)：

G06F 12/08 513 ,  G06F 12/08 509 Z ,  G06F 12/08 553 B

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-150178   出願人：ソニー株式会社
• 磁気記憶装置、磁気記憶装置の書き込み方法および磁気記憶装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-330955   出願人：ソニー株式会社

引用文献：

出願人引用 (3件)

• TMS320DM814x DaVinci Digital Media Processors, 201107, pp.1-7
• Cache Revive: Architecing Volatile STT-RAM Caches for Enhanced Performance in CMPs
• ノーマリオフプロセッサ実現に向けた不揮発メモリの課題と展望

審査官引用 (3件)

• TMS320DM814x DaVinci Digital Media Processors, 201107, pp.1-7
• Cache Revive: Architecing Volatile STT-RAM Caches for Enhanced Performance in CMPs
• ノーマリオフプロセッサ実現に向けた不揮発メモリの課題と展望