特許

J-GLOBAL ID：201203039191123888

記憶装置

発明者： 肥後 豊 ,  内田 裕行 ,  大森 広之 ,  別所 和宏 ,  細見 政功 ,  山根 一陽
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人信友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-150178
公開番号（公開出願番号）：特開2012-014787
出願日： 2010年06月30日
公開日（公表日）： 2012年01月19日
要約：

【課題】書き込み可能回数を増加させることを可能にする、記憶装置を提供する。【解決手段】磁性体の磁化状態により情報を記憶する記憶層と、この記憶層に対してトンネル絶縁層を介して配置された、磁化の向きが固定された磁化固定層とを含み、記憶層及び磁化固定層の積層方向に書き込み電流を流すことにより、記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に情報が記憶される記憶素子2と、この記憶素子2がアレイ状に配置されて構成され、かつ、複数のセルブロック5a,5bに分割され、セルブロック5a,5b毎に記憶素子2の記憶層の熱安定性が異なる値を持つ、セルアレイ5とを含む記憶装置を構成する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

磁性体の磁化状態により情報を記憶する記憶層と、前記記憶層に対してトンネル絶縁層を介して配置された、磁化の向きが固定された磁化固定層とを含み、前記記憶層及び前記磁化固定層の積層方向に流す書き込み電流が印加されると、前記記憶層の磁化の向きが変化して、前記記憶層に前記情報を記憶する記憶素子と、 前記記憶素子がアレイ状に配置されて構成され、かつ、複数のセルブロックに分割され、前記セルブロック毎に前記記憶素子の前記記憶層の熱安定性が異なる値を持つ、セルアレイとを含む 記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 11/15 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

G11C11/15 140 ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z

Fターム (26件)：

4M119AA06 ,  4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119DD55 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF01 ,  4M119GG03 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BE25

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁気記憶装置、磁気記憶装置の書き込み方法および磁気記憶装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-330955   出願人：ソニー株式会社
• トンネル磁気抵抗効果素子およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-310012   出願人：キヤノン株式会社
• 垂直磁気記録媒体とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-067755   出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
• 磁性記録媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-338349   出願人：キヤノン株式会社