特許
J-GLOBAL ID：200903009449251221
磁気記憶装置、磁気記憶装置の書き込み方法および磁気記憶装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-330955
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101123
出願日： 2003年09月24日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：
【課題】保磁力の異なる磁気トンネル接合素子を備え、各素子の保磁力に対応する電流を供給することで、消費電力の低減、書き込み特性の安定化を可能とする。【解決手段】磁気トンネル接合素子を備えた複数の記憶素子群2、3と、各記憶素子群2、3の磁気トンネル接合素子の保磁力に対応した書き込み電流を供給する電源4とを備え、各記憶素子群2、3のうちの少なくとも一つの記憶素子群の磁気トンネル接合素子は他の記憶素子群の磁気トンネル接合素子とは保磁力が異なるものである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
磁気トンネル接合素子を備えた複数の記憶素子群と、
前記各記憶素子群の磁気トンネル接合素子の保磁力に対応した書き込み電流を供給する電源とを備え、
前記各記憶素子群のうちの少なくとも一つの記憶素子群の磁気トンネル接合素子は他の記憶素子群の磁気トンネル接合素子とは保磁力が異なる
ことを特徴とする磁気記憶装置。
IPC (3件)：
H01L27/105
, H01L43/08
, H01L43/12
H01L27/10 447
, H01L43/08 Z
, H01L43/12
5F083FZ10
, 5F083JA39
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083LA12
, 5F083LA16
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083MA19
, 5F083NA08
