半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：吉竹英俊 , 有田貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-007556
公開番号（公開出願番号）：特開2017-130503
出願日： 2016年01月19日
公開日（公表日）： 2017年07月27日
要約：

【課題】本発明は、放射ノイズ、雑音端子電圧等のノイズの放出を抑制した半導体装置の提供を目的とする。【解決手段】半導体装置100は、電力用半導体素子7を含む複数の半導体素子と、複数の半導体素子が一方主面に搭載されたリードフレーム2と、複数の半導体素子とリードフレーム2の複数の半導体素子を搭載した部分とを封止する樹脂1と、リードフレーム2の一方主面側において複数の半導体素子の上方に配置された少なくとも1つのシールド部材9と、を備え、シールド部材9は、樹脂1に保持され、シールド部材9は、樹脂1よりも透磁率又は導電率が高い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

電力用半導体素子を含む複数の半導体素子と、前記複数の半導体素子が一方主面に搭載されたリードフレームと、前記複数の半導体素子と前記リードフレームの前記複数の半導体素子を搭載した部分とを封止する樹脂と、前記リードフレームの前記一方主面側において前記複数の半導体素子の上方に配置された少なくとも1つのシールド部材と、を備え、前記シールド部材は、前記樹脂に保持され、前記シールド部材は、前記樹脂よりも透磁率又は導電率が高い、半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 23/29 , H01L 23/31 , H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 23/00 , H01L 23/28

FI (5件)：

H01L23/30 R , H01L25/04 C , H01L23/00 C , H01L23/30 B , H01L23/28 F

Fターム (9件)：

4M109AA02 , 4M109BA01 , 4M109CA21 , 4M109CA22 , 4M109DB15 , 4M109EA02 , 4M109EC07 , 4M109EE07 , 4M109GA10

引用特許：

審査官引用 (5件)

樹脂封止型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-062072 出願人：株式会社東芝
特開平1-278052
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-085256 出願人：凸版印刷株式会社

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