特許
J-GLOBAL ID：201703001515900521
化合物半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-087736
公開番号（公開出願番号）：特開2014-212214
特許番号：特許第6186832号
出願日： 2013年04月18日
公開日（公表日）： 2014年11月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板と、
前記基板上方に形成された窒化物の化合物半導体積層構造と、
前記化合物半導体積層構造を覆うパッシベーション膜と、
前記化合物半導体積層構造上方に形成されたゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と、
Si-C結合を含有し、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間において、前記化合物半導体積層構造の上面の少なくとも一部又は前記パッシベーション膜の上面の少なくとも一部と接する部分を有するSi-C結合含有膜と、
を有し、
前記Si-C結合含有膜及び前記パッシベーション膜は、前記ゲート電極のドレイン端直下の部分を有し、
前記Si-C結合含有膜は、前記ゲート電極のドレイン端直下で前記化合物半導体積層構造の上面と接し、
前記Si-C結合含有膜は、前記ゲート電極又は前記ドレイン電極の少なくとも一方から電気的に絶縁されていることを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/338 ( 200 6.01)
, H01L 29/812 ( 200 6.01)
, H01L 29/778 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 51/40 ( 200 6.01)
H01L 29/80 H
, H01L 29/78 301 B
, H01L 21/368 L
