電界効果トランジスタ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：速水進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-364405
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200248
出願日： 2002年12月16日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：

【課題】コラプスおよびゲート耐圧のバランスに優れたトランジスタを提供する。【解決手段】ゲート電極2に、ドレイン側にひさし状に張り出したフィールドプレート部5を形成する。フィールドプレート部5の下に、SiN膜21およびSiO2膜22からなる積層膜を形成する。SiN膜21はAlGaN電子供給層13の表面はを覆うように形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ヘテロ接合を含むIII族窒化物半導体層構造と、該半導体層構造上に離間して形成されたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に配置されたゲート電極と、前記III族窒化物半導体層上に形成された絶縁膜と、を備え、前記ゲート電極は、前記ドレイン電極側にひさし状に張り出し前記絶縁膜上に形成されたフィールドプレート部を有し、前記絶縁膜は、シリコンおよび窒素を構成元素として含む化合物により構成された第一の絶縁膜と、前記第一の絶縁膜よりも低い比誘電率を有する第二の絶縁膜と、を含む積層膜であることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812

FI (2件)：

H01L29/80 Q , H01L29/80 H

Fターム (28件)：

5F102FA02 , 5F102FA08 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK02 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GN06 , 5F102GN07 , 5F102GQ01 , 5F102GQ02 , 5F102GR04 , 5F102GR12 , 5F102GS01 , 5F102GT01 , 5F102GT03 , 5F102GV05 , 5F102GV06 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F102HC11 , 5F102HC15 , 5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-146563 出願人：ソニー株式会社
特開平2-072667
化合物半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-217046 出願人：富士通カンタムデバイス株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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