特許
J-GLOBAL ID：201703001859938072
フォトレジストパターントリミング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人センダ国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-289079
公開番号（公開出願番号）：特開2013-156628
特許番号：特許第6108832号
出願日： 2012年12月28日
公開日（公表日）： 2013年08月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 (a)半導体基体の上面上にパターン形成される1以上の層を含む半導体基体を提供し;
(b)複数のフィーチャを含みかつ化学増幅型フォトレジスト組成物から形成されるフォトレジストパターンを前記パターン形成される1以上の層上に形成し、前記フォトレジストパターンは酸不安定基を有するマトリックスポリマーを含んでおり;
(c)前記フォトレジストパターン上にフォトレジストトリミング組成物をコーティングし、前記トリミング組成物はマトリックスポリマー、熱酸発生剤および溶媒を含み、かつ前記トリミング組成物は架橋剤を含んでおらず;
(d)前記コーティングされた半導体基体を加熱して、前記トリミング組成物中で前記熱酸発生剤から酸を発生させ、それにより前記フォトレジストパターンの表面領域におけるフォトレジストマトリックスポリマーの極性の変換を引き起こし;並びに
(e)前記フォトレジストパターンを現像液と接触させて、前記フォトレジストパターンの表面領域を除去する;
ことを順に含む、フォトレジストパターンをトリミングする方法。
IPC (3件)：
G03F 7/40 ( 200 6.01)
, G03F 7/039 ( 200 6.01)
, H01L 21/027 ( 200 6.01)
G03F 7/40 511
, G03F 7/039 601
, H01L 21/30 570
