特許
J-GLOBAL ID：201203043501101437
レジストパターン形成方法及びパターン微細化処理剤
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
棚井 澄雄
, 志賀 正武
, 鈴木 三義
, 五十嵐 光永
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-130341
公開番号（公開出願番号）：特開2011-257499
出願日： 2010年06月07日
公開日（公表日）： 2011年12月22日
要約：
【課題】レジストパターンの微細化に有用なレジストパターン形成方法、及びこれに用いるパターン微細化処理剤の提供。【解決手段】支持体上に、化学増幅型ポジ型レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成する工程(1)と、該レジストパターンに、パターン微細化処理剤を塗布する工程(2)と、該パターン微細化処理剤が塗布されたレジストパターンにベーク処理を行う工程(3)と、該ベーク処理後のレジストパターンをアルカリ現像する工程(4)とを含むレジストパターン形成方法であって、前記パターン微細化処理剤は、酸発生剤成分と、前記工程(1)で形成されるレジストパターンを溶解しない有機溶剤とを含有することを特徴とするレジストパターン形成方法、及びパターン微細化処理剤。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
支持体上に、化学増幅型ポジ型レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成する工程(1)と、
該レジストパターンに、パターン微細化処理剤を塗布する工程(2)と、
該パターン微細化処理剤が塗布されたレジストパターンにベーク処理を行う工程(3)と、
該ベーク処理後のレジストパターンをアルカリ現像する工程(4)とを含むレジストパターン形成方法であって、
前記パターン微細化処理剤は、酸発生剤成分と、前記工程(1)で形成されるレジストパターンを溶解しない有機溶剤とを含有することを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (3件)：
G03F 7/40
, G03F 7/039
, H01L 21/027
G03F7/40 511
, G03F7/039 601
, H01L21/30 565
2H096AA25
, 2H096BA11
, 2H096EA05
, 2H096HA05
, 2H125AF18P
, 2H125AF38P
, 2H125AH19
, 2H125AJ14X
, 2H125AJ65X
, 2H125AJ69X
, 2H125AN38P
, 2H125AN39P
, 2H125AN63P
, 2H125BA01P
, 2H125BA26P
, 2H125CA12
, 2H125CB09
, 2H125CC03
, 2H125CC15
, 5F046JA22
, 5F146JA22
