特許

J-GLOBAL ID：201703001974689337

高温用無鉛強誘電体材料

発明者： 秋重 幸邦 ,  塚田 真也 ,  渡部 沙英
出願人/特許権者： 国立大学法人島根大学
代理人 (1件)： 田邊 義博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-109871
公開番号（公開出願番号）：特開2017-214253
出願日： 2016年06月01日
公開日（公表日）： 2017年12月07日
要約：

【課題】PZTのキュリー温度よりも高い温度域にても強誘電性を有する鉛フリーの素材を提供すること。【解決手段】 化学式が(Sr1-xBax)2Nb2O7(ただし、0.20≦x≦0.32)であり、320°Cを越える使用環境にて使用することを特徴とする強誘電体材料である。スパークプラズマ焼結法を用いるなどして製造可能である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

化学式が(Sr1-xBax)2Nb2O7(ただし、0.16≦x≦0.32)であり、320°Cを越える使用環境にて使用することを特徴とする強誘電体材料。

IPC (4件)：

C04B 35/00 ,  H01L 41/187 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105

FI (3件)：

C04B35/00 J ,  H01L41/187 ,  H01L27/10 444C

Fターム (7件)：

4G030AA09 ,  4G030AA10 ,  4G030AA20 ,  4G030BA09 ,  4G030CA01 ,  5F083FR01 ,  5F083JA12

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-313350   出願人：株式会社東芝
• 特開平2-034552
  
• 圧電磁器組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-245350   出願人：京セラ株式会社
• 金属酸化物および圧電材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-175789   出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人山梨大学, 国立大学法人東京工業大学, 独立行政法人産業技術総合研究所
• 半導体記憶素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-281229   出願人：シャープ株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• The Effect of Barium Substitution on the Ferroelectric Properties of Sr2Nb2O7 Ceramics