特許
J-GLOBAL ID：201703002340482060
逆阻止型半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阪本 朗
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-083937
公開番号（公開出願番号）：特開2013-214609
特許番号：特許第6111527号
出願日： 2012年04月02日
公開日（公表日）： 2013年10月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】シリコンよりなる第1導電型半導体基板と、
前記第1導電型半導体基板の一方の主面から、半導体機能領域を取り囲むリング状平面パターンで所要の深さに形成される第2導電型分離層と、
該分離層に対向する位置の他方の主面から前記分離層の底部に達する深さでリング状平面パターンのV字溝と、
前記V字溝に囲まれた他方の主面に設けられた第2導電型第1半導体層と、
前記V字溝の側壁面に設けられ、前記分離層の底部と前記第1半導体層とを連結し、前記第1半導体層より薄い第2導電型半導体薄層と、
アルミニウムを主成分とする金属電極と、
を備え、
前記金属電極は前記第1半導体層に直接オーミック接触しており、前記半導体薄層との間には高融点金属を主成分とするバリア層が設けられていることを特徴とする逆阻止型半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/739 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 21/76 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/417 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
H01L 29/78 655 F
, H01L 29/78 652 L
, H01L 29/78 652 R
, H01L 29/78 658 F
, H01L 29/50 B
, H01L 21/28 301 R
