特許
J-GLOBAL ID：201703002674575514

活性領域を限定する線状のトレンチを有する半導体素子及びその形成方法

発明者：
崔 宰 福

崔 宰 福 について

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李 圭 現

李 圭 現 について

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張 美 貞

張 美 貞 について

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崔 榮 振

崔 榮 振 について

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許 宙 永

許 宙 永 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 八田国際特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-069241
公開番号（公開出願番号）：特開2014-086719
特許番号：特許第6189615号
出願日： 2013年03月28日
公開日（公表日）： 2014年05月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板上の互いに平行な多数の平行トレンチ(parallel-trenches)と、 前記半導体基板上の互いに平行な多数の交差トレンチ(intersect-trenches)と、 前記平行トレンチ及び前記交差トレンチによって前記半導体基板上に限定された多数の活性領域と、 前記活性領域を横切る多数の下部導電性ラインと、 前記下部導電性ラインと交差し、前記活性領域上を横切って互いに平行な多数の上部導電性ラインと、 前記活性領域に接続されたデータ保存要素と、を含み、 前記平行トレンチ及び前記交差トレンチのそれぞれは直線状ライン(straight line)であり、 前記平行トレンチは、前記上部導電性ラインと交差し、前記平行トレンチは前記上部導電性ラインに対して第1鋭角をなし、 前記交差トレンチは、前記平行トレンチおよび前記下部導電性ラインと交差し、前記平行トレンチと前記交差トレンチとの間に第2鋭角を有することを特徴とする半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01) ,  H01L 21/76 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01L 27/108 681 D ,  H01L 27/108 671 B ,  H01L 27/108 621 Z ,  H01L 21/76 L
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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