特許
J-GLOBAL ID：201703002835334261

酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイス

発明者：
宮永 美紀

宮永 美紀 について

, 
綿谷 研一

綿谷 研一 について

, 
曽我部 浩一

曽我部 浩一 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-094750
公開番号（公開出願番号）：特開2016-216346
出願日： 2016年05月10日
公開日（公表日）： 2016年12月22日
要約：
【課題】特性の高い半導体デバイスの酸化物半導体膜をスパッタ法で形成するためのスパッタターゲットとして好適に用いられる酸化物焼結体およびそれを用いて形成される酸化物半導体膜を含む半導体デバイスの提供。【解決手段】インジウムと、タングステンと、亜鉛と、を含み、ビックスバイト型結晶相を含み、見かけ密度が6.5g/cm3より大きく7.1g/cm3以下であり、インジウム、タングステンおよび亜鉛の合計に対するタングステンの含有率が1.2原子%より大きく30原子%より小さく、インジウム、タングステンおよび亜鉛の合計に対する亜鉛の含有率が1.2原子%より大きく30原子%より小さい酸化物焼結体である。半導体デバイス10は、酸化物焼結体を含むスパッタターゲット用いてスパッタ法により形成した酸化物半導体膜14。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
インジウムと、タングステンと、亜鉛と、を含む酸化物焼結体であって、 ビックスバイト型結晶相を含み、見かけ密度が6.5g/cm3より大きく7.1g/cm3以下であり、 前記酸化物焼結体中のインジウム、タングステンおよび亜鉛の合計に対するタングステンの含有率が1.2原子%より大きく30原子%より小さく、 前記酸化物焼結体中のインジウム、タングステンおよび亜鉛の合計に対する亜鉛の含有率が1.2原子%より大きく30原子%より小さい酸化物焼結体。
IPC (7件)：
C04B 35/00 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/08 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01B 1/08
FI (7件)：
C04B35/00 J ,  C23C14/34 A ,  C23C14/08 D ,  H01L21/203 S ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618B ,  H01B1/08
Fターム (72件)：
4G030AA16 ,  4G030AA17 ,  4G030AA18 ,  4G030AA19 ,  4G030AA20 ,  4G030AA21 ,  4G030AA22 ,  4G030AA23 ,  4G030AA24 ,  4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030AA43 ,  4G030BA02 ,  4G030CA01 ,  4G030GA08 ,  4G030GA11 ,  4G030GA18 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4K029BA45 ,  4K029BA50 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DB20 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103HH04 ,  5F103KK01 ,  5F103KK10 ,  5F103LL13 ,  5F103NN06 ,  5F103RR05 ,  5F110AA06 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ14 ,  5G301CA02 ,  5G301CA15 ,  5G301CA27 ,  5G301CA30 ,  5G301CD10 ,  5G301CE02
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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