特許
J-GLOBAL ID：200903013886687672

酸化物焼結体、スパッタリングターゲット、透明導電性薄膜およびその製造方法

発明者：
阿部 能之

阿部 能之 について

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中山 徳行

中山 徳行 について

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小原 剛

小原 剛 について

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和気 理一郎

和気 理一郎 について


出願人/特許権者：
住友金属鉱山株式会社

住友金属鉱山株式会社 について


代理人 (1件)： 鴨田 哲彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-131476
公開番号（公開出願番号）：特開2005-314131
出願日： 2004年04月27日
公開日（公表日）： 2005年11月10日
要約：
【課題】 比抵抗が小さく、膜の内部応力の絶対値が低く、可視光領域の透過率が高い非晶質の透明導電性薄膜、および、該透明導電性薄膜を製造するための酸化物焼結体と、それから得られるスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 平均粒径が1μm以下のIn2O3 粉末、WO3粉末、ZnO粉末を、タングステンがW/In原子数比で0.004〜0.023の割合、亜鉛がZn/In原子数比で0.004〜0.100の割合となるよう調合し、10〜30時間混合し、得られた粉末を平均粒径20〜150μmとなるまで造粒し、該造粒粉を冷間静水圧プレスで2〜5ton/cm2の圧力をかけて成形し、該成形体を、炉内容積0.1m3あたり50〜250リットル/分の割合で焼結炉内の大気に酸素を導入する雰囲気で、1200〜1500°Cで、10〜40時間焼結して、酸化物焼結体を得る。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
インジウム、タングステンおよび亜鉛からなり、タングステンがW/In原子数比で0.004〜0.023の割合で含有され、亜鉛がZn/In原子数比で0.004〜0.100の割合で含有され、かつ、比抵抗が1kΩcm以下であることを特徴とする酸化物焼結体。
IPC (6件)：
C04B35/495 ,  C23C14/34 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H05B33/14 ,  H05B33/28
FI (7件)：
C04B35/00 J ,  C23C14/34 A ,  H01B5/14 A ,  H01B13/00 503B ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z ,  H05B33/28
Fターム (38件)：
3K007AB18 ,  3K007CB01 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4G030AA24 ,  4G030AA30 ,  4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030CA01 ,  4G030CA04 ,  4G030CA07 ,  4G030GA05 ,  4G030GA09 ,  4G030GA11 ,  4G030GA19 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4G030GA30 ,  4G030GA32 ,  4G030GA34 ,  4K029BA45 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC12 ,  4K029DC22 ,  4K029DC34 ,  4K029EA03 ,  4K029EA05 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC09 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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