特許
J-GLOBAL ID：201703002971505568
液晶表示装置
出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所
株式会社半導体エネルギー研究所 について
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-125803
公開番号（公開出願番号）：特開2017-182091
出願日： 2017年06月28日
公開日（公表日）： 2017年10月05日
要約：
【課題】暗画像を挿入して擬似的にインパルス駆動に近づける方法において、消費電力の増大や、発光時の負荷の増大などの問題が低減された表示装置およびその駆動方法を提供することを課題とする。【解決手段】1フレーム期間を複数のサブフレーム期間に分割して階調を表現する表示装置であって、1フレーム期間は、少なくとも第1のサブフレーム期間と、第2のサブフレーム期間とに分割され、最大の階調を表示するときの第1のサブフレーム期間における輝度をLmax1とし、最大の階調を表示するときの第2のサブフレーム期間における輝度をLmax2としたとき、1フレーム期間において、(1/2)Lmax2<Lmax1<(9/10)Lmax2を満たすように設ける。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の方向に延在し、第1の基板上面に接する領域を有する走査線と、
前記第1の方向に延在する共通線と、
前記走査線上に接する領域を有する第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に接する領域を有し、前記第1の方向と交差する第2の方向に延在する第1の配線と、
第1の画素と、
前記共通線を挟んで前記第1の画素と隣接する第2の画素と、
前記第1の配線を挟んで前記第1の画素と隣接する第3の画素と、
前記第1の基板と対向して配置された第2の基板と、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に配置されたスペーサと、を有し、
前記第1乃至第3の画素の各々は、
トランジスタのチャネル形成領域を有する半導体層と、
前記第1の絶縁膜上に接する領域を有し、前記半導体層と電気的に接続された第1の導電膜と、
前記第1の導電膜上に位置し、前記トランジスタと電気的に接続された第1の電極と、
第2の絶縁膜を介して前記第1の電極と重なる領域を有する第2の電極と、
前記第1の電極上及び前記第2の電極上の液晶層と、を有し、
前記第1の画素の前記第2の電極と、前記第2の画素の前記第2の電極とは、連続した第2の導電膜の一部であり、
前記第2の導電膜は、前記共通線と電気的に接続され、
前記第1乃至前記第3の画素において、前記第1の配線は前記第2の導電膜と重なる領域を有さず、
前記共通線は、前記第1の導電膜と重なる領域を有さず、
前記スペーサは、前記ゲート線と重なる領域を有する液晶表示装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
2H192AA24
, 2H192BB13
, 2H192BB53
, 2H192BC42
, 2H192CB05
, 2H192CC04
, 2H192CC55
, 2H192DA32
, 2H192GD23
引用特許：
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