特許
J-GLOBAL ID：200903077508727044

多重ドメイン液晶表示装置

発明者：
卓 英 美

卓 英 美 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (2件)： 小野 由己男 ,  稲積 朋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-225114
公開番号（公開出願番号）：特開2005-055897
出願日： 2004年08月02日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：
【課題】 データ線に関わる負荷とデータ線と基準電極とのカップリングによる静電容量を減少させ、画質の向上とデータ線周辺の光漏れを減少させることにある。【解決手段】 薄膜トランジスタ基板は、基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層が順次形成され、さらに、半導体層上に形成されたソース電極とドレーン電極を有する。ソース電極はデータ線に連結され、データ線は屈折部を有すると共にゲート線と直交する。画素電極は、保護膜上に形成され、ドレーン電極と電気的に連結される。画素電極のデータ線と隣接した辺がデータ線に沿って屈折し、データ線の両側に分離して配置され、それぞれ第1画素電極と第2画素電極に対応する二つの副画素を形成する。ゲート電極と同じ層には画素電極の周辺部に配置され、画素の形状に沿って屈折した維持電極を有する。また、対向基板には画素電極と対向し、データ線に対応する部分に開口部を有する共通電極を有する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
第1絶縁基板、 前記第1絶縁基板上に形成され、第1方向にのびる第1信号線、 前記第1絶縁基板上に形成され、前記第1信号線と絶縁されて交差し、屈折部と第2方向にのびている部分とを有する第2信号線、 前記第1信号線と前記第2信号線が交差して定義する画素ごとに形成されている画素電極、 前記第1信号線、前記第2信号線及び前記画素電極と連結されている薄膜トランジスタ、 前記第1絶縁基板と対向する第2絶縁基板、 前記第2絶縁基板の上部に全面的に形成され、前記第2信号線と対応する部分に開口部を有する共通電極、を含み、 前記第2信号線の屈折部と前記第2方向にのびた部分は、前記画素の長さを単位として繰返し現れている、液晶表示装置。
IPC (3件)：
G02F1/1343 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/1368
FI (3件)：
G02F1/1343 ,  G02F1/1337 505 ,  G02F1/1368
Fターム (30件)：
2H090HA16 ,  2H090HD14 ,  2H090KA04 ,  2H090LA01 ,  2H090MA01 ,  2H090MA12 ,  2H090MB14 ,  2H092GA13 ,  2H092GA15 ,  2H092GA18 ,  2H092GA25 ,  2H092GA26 ,  2H092GA29 ,  2H092GA30 ,  2H092HA04 ,  2H092HA06 ,  2H092JA24 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB05 ,  2H092JB06 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092KA04 ,  2H092KA18 ,  2H092NA01 ,  2H092NA04 ,  2H092NA07 ,  2H092PA02 ,  2H092QA06
引用特許：
審査官引用 (12件)
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