特許
J-GLOBAL ID：201703002978312021
半導体基板の平坦化研削加工方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-149245
公開番号（公開出願番号）：特開2015-023113
特許番号：特許第6179021号
出願日： 2013年07月18日
公開日（公表日）： 2015年02月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 カップホイール型研削砥石軸を傾斜可能な数値制御研削装置を用い、直動移動方式の近赤外光変位センサまたは半導体基板の半径方向に並設された複数の近赤外光変位センサを用いて研削加工されている途中の前記半導体基板の厚み(ti)を測定して数値制御装置のメモリー部に送信し、演算部でTTV値を算出し、前記TTV値および前記厚み(ti)を前記メモリー部に記憶させながら前記数値制御装置より前記数値制御研削装置にフィードバックさせるカップホイール型研削砥石による前記半導体基板の表面の平坦化研削加工を行う半導体基板の平坦化研削加工方法において、
前記半導体基板は、銅貫通電極が形成されたシリコン基板であり、
前記平坦化研削加工の工程の途中に、前記カップホイール型研削砥石軸の送り量を算出して前記カップホイール型研削砥石軸の前記送り量に対応する前記半導体基板の目標厚み(t0)を予め前記メモリー部に格納したデータから抽出し、
前記平坦化研削加工の工程の途中に、前記目標厚み(t0)と前記厚み(ti)とを比較するとともに、前記目標厚み(t0)と前記厚み(ti)との差が所望するTTV値範囲内に在るか否かを前記数値制御装置の判定部で判定する監視を行うとともに、前記演算部より前記メモリー部に送信された前記TTV値が所望する前記TTV範囲内に在るか否かも前記数値制御装置の前記判定部で判定する監視を行い、
判定された前記TTV値および研削加工された前記半導体基板の前記厚み(ti)が所望の値の範囲内であるときは、前記半導体基板の前記カップホイール型研削砥石による前記平坦化研削加工を終了し、
判定された前記TTV値および研削加工された前記半導体基板の前記厚み(ti)の一つでも所望の範囲外であるときは、前記カップホイール型研削砥石軸の送り量および前記カップホイール型研削砥石軸の傾斜角度を変えて前記半導体基板の前記カップホイール型研削砥石による前記平坦化研削加工を、判定される前記TTV値および研削加工された前記半導体基板の前記厚み(ti)の全てが所望の範囲内となるまで続行し、
前記平坦化研削加工中に、前記カップホイール型研削砥石の前記半導体基板の表面研削加工に供されていない砥石刃先にこの砥石刃先までの距離5〜20mm位置にあるノズルより洗浄水を噴射させて、前記砥石刃先に付着した電極研削屑、絶縁層研削屑及び樹脂研削屑を洗い流す砥石刃洗浄を行うことを特徴とする半導体基板の平坦化研削加工方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L 21/304 622 S
, H01L 21/304 631
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示
前のページに戻る
