特許
J-GLOBAL ID：201703003079442353
シリカ多孔質膜
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
重野 剛
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-209163
公開番号（公開出願番号）：特開2015-072429
特許番号：特許第6187115号
出願日： 2013年10月04日
公開日（公表日）： 2015年04月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下記(1)、(2)及び(3)を満たすことを特徴とするシリカ多孔質膜。
(1)シリカ多孔質膜の表面から深さ方向10nmの位置までの領域において、X線光電子分光法(XPS)によって元素分析することにより算出される、炭素原子、酸素原子、フッ素原子及びケイ素原子の合計数に対するフッ素原子数の割合が35原子%を超え、酸素原子数の割合が30原子%以下である。
(2)シリカ多孔質膜の表面から深さ方向10nmの位置から、該表面から深さ方向40nmの位置までの領域において、深さ方向のXPS分析によって元素分析することにより算出される、炭素原子、酸素原子、フッ素原子及びケイ素原子の合計数に対するフッ素原子数の割合が15原子%以下である。
(3)屈折率が1.35以下である。
IPC (2件)：
G02B 1/111 ( 201 5.01)
, C01B 33/12 ( 200 6.01)
G02B 1/111
, C01B 33/12 D
