特許
J-GLOBAL ID:201703003438059676
半導体製造装置および半導体製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
中島 淳
, 加藤 和詳
, 福田 浩志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-058983
公開番号(公開出願番号):特開2017-174959
出願日: 2016年03月23日
公開日(公表日): 2017年09月28日
要約:
【課題】半導体ウエハ等の被保持基板に貼り付けられた保護テープ等の膜状部材を剥離する際の被保持基板の破損を防止する。【解決手段】半導体製造装置は、基底部から突出して設けられ、先端が被保持部材の被保持面に当接されて被保持部材の外周部を吸着保持する環状の第1の保持部と、基底部から突出し且つ第1の保持部の内側に第1の保持部に隣接して設けられ、先端が被保持部材の被保持面に当接されて被保持部材の、第1の保持部によって吸着保持される部分よりも内側の部分を吸着保持する第2の保持部と、基底部および第1の保持部によって囲まれた空間内にガスを導入するガス導入機構と、を含む。【選択図】図2
請求項(抜粋):
基底部から突出して設けられ、先端が被保持部材の被保持面の外周部に当接されて前記被保持面の外周部を吸着保持する環状の第1の保持部と、
前記基底部から突出し且つ前記第1の保持部の内側に前記第1の保持部に隣接して設けられ、先端が前記被保持面に当接されて前記被保持面の前記第1の保持部によって吸着保持される部分よりも内側の部分を吸着保持する第2の保持部と、
前記基底部および前記第1の保持部によって囲まれた空間内にガスを導入するガス導入機構と、
を含む半導体製造装置。
IPC (2件):
H01L 21/683
, H01L 21/304
FI (2件):
H01L21/68 N
, H01L21/304 622H
Fターム (19件):
5F057AA05
, 5F057BA11
, 5F057CA14
, 5F057DA11
, 5F057FA13
, 5F057FA28
, 5F131AA02
, 5F131BA32
, 5F131CA09
, 5F131EA07
, 5F131EB02
, 5F131EB05
, 5F131EB56
, 5F131EB57
, 5F131EB58
, 5F131EB78
, 5F131EC34
, 5F131EC62
, 5F131EC76
引用特許:
前のページに戻る