特許
J-GLOBAL ID：201703003713183870
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
真田 有
, 山本 雅久
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-057483
公開番号（公開出願番号）：特開2013-191759
特許番号：特許第6065393号
出願日： 2012年03月14日
公開日（公表日）： 2013年09月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体領域と、
前記半導体領域の上方に形成されたゲート電極と、
前記半導体領域の上方に形成され、前記ゲート電極を挟んで両側にそれぞれ設けられたソース電極及びドレイン電極と、
前記半導体領域の表面を覆う第1絶縁膜と、
前記ソース電極と前記ゲート電極との間、及び、前記ドレイン電極と前記ゲート電極との間の少なくとも一方の前記第1絶縁膜の上方に設けられ、前記第1絶縁膜よりも低い誘電率を有する第2絶縁膜とを備え、
前記第2絶縁膜は、前記ゲート電極から離れた位置に設けられており、
前記第2絶縁膜の前記ゲート電極の側に設けられ、前記第2絶縁膜よりも高い誘電率を有する第3絶縁膜と、
前記第2絶縁膜の上方に設けられ、前記第1絶縁膜よりも低い誘電率を有する第4絶縁膜と、
前記第4絶縁膜の前記ゲート電極の側に設けられ、前記第4絶縁膜よりも高い誘電率を有する第5絶縁膜とを備え、
前記第5絶縁膜の前記ゲート電極側の端部は、前記第3絶縁膜の前記ゲート電極側の端部に対してずれた位置になっていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/338 ( 200 6.01)
, H01L 29/778 ( 200 6.01)
, H01L 29/812 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
H01L 29/80 H
, H01L 29/80 F
, H01L 21/28 301 B
