特許
J-GLOBAL ID：201003050563832553

半導体装置及びその製造方法

発明者：
牧山 剛三

牧山 剛三 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-169482
公開番号（公開出願番号）：特開2010-010489
出願日： 2008年06月27日
公開日（公表日）： 2010年01月14日
要約：
【課題】耐湿性(信頼性)及び高周波特性を両立することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半絶縁性のSiC基板1上に化合物半導体領域2が形成されている。化合物半導体領域2上に、ゲート電極6、ソース電極4及びドレイン電極5が形成されている。シリコン窒化膜10上に、ソース電極4及びドレイン電極5から離れた位置においてゲート電極6を覆う低誘電率膜11が形成されている。低誘電率膜11の上面及び側面を覆うシリコン窒化膜12がシリコン窒化膜10上に形成されている。シリコン窒化膜12上に低誘電率膜13が形成されている。低誘電率膜13の比誘電率は低誘電率膜11のそれよりも高い。また、低誘電率膜13の耐湿性は低誘電率膜11のそれより高い。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
化合物半導体領域と、 前記化合物半導体領域上に形成されたゲート電極と、 前記化合物半導体領域上の前記ゲート電極を間に挟む位置に形成されたソース電極及びドレイン電極と、 前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間の領域において、少なくとも前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に介在する低誘電率膜と、 前記ゲート電極及び前記低誘電率膜を上方及び側方から覆う無機絶縁膜と、 前記無機絶縁膜上に形成された耐湿性膜と、 を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (9件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/28
FI (9件)：
H01L29/80 Q ,  H01L29/58 G ,  H01L29/50 M ,  H01L21/90 C ,  H01L29/50 J ,  H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301N ,  H01L21/28 301B
Fターム (92件)：
4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104DD79 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG12 ,  4M104GG14 ,  5F033GG01 ,  5F033HH13 ,  5F033JJ13 ,  5F033KK01 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR29 ,  5F033SS15 ,  5F033TT04 ,  5F033XX18 ,  5F033XX24 ,  5F102FA00 ,  5F102FA08 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ06 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR10 ,  5F102GR12 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV05 ,  5F102GV06 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC10 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21 ,  5F102HC29 ,  5F140AA00 ,  5F140AA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA08 ,  5F140BA09 ,  5F140BC12 ,  5F140BD07 ,  5F140BE10 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF42 ,  5F140BG08 ,  5F140BG09 ,  5F140BG11 ,  5F140BG14 ,  5F140BG30 ,  5F140BG50 ,  5F140BH30 ,  5F140BH47 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140CC01 ,  5F140CC08 ,  5F140CC10 ,  5F140CC13 ,  5F140CC16 ,  5F140CC19 ,  5F140CD09 ,  5F140CE02
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (6件)
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